「ダイス m30 1.5」の検索結果

メートル並目ねじ用

ボルトやねじをさらえる(きれいにする)時に使用します。モンキーレンチにて作業ができます。ねじ山を修正する際の丸ダイスにかわる商品です。

大型バス・トラック等のハブボルトやインナーナットのネジ山が破損した場合にネジ山を修正するためのツールです。

調整ねじ付なので寸法調整ができます。 ねじ山を修正する時にも使用できます。

ボルトやねじをさらえる(きれいにする)時に使用します。モンキーレンチにて作業ができます。ねじ山を修正する際の丸ダイスにかわる商品です。

ねじ山を修正する時に使用します。 モンキーレンチにて作業ができます。 ねじ山を修正する際の丸ダイスにかわる商品です。

調整ねじ付なので寸法調整ができます。ねじ山を修正する時にも使用できます。丸ダイス25径用です。

倒れた、ネジ山を起こす修正工具ですので、ネジ山が痩せません。 ネジ山の途中にセットできるので、先端部の傷みも簡単に修正できます。左ネジも可能。 スピンドル、機械工具などの特殊なネジに最適です。

ダイスの振れ精度を向上させたソリッドダイスです。高速度工具鋼(HSS)を採用し、安定した加工を実現しました。

一般被削材用ダイスです。

ねじ山の修正に便利です。 レンチやスパナで作業ができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

雄ねじ加工に便利です。 調整ねじによるサイズ調整が可能です。

特殊鋼材に威力を発揮する強靭汎用ブレードです。 合金工具鋼を素材とする切削力を増強したコンターマシン用のこ刃です。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1600 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。