「バイポーラトランジスタ」の検索結果

大学初学年の学生を対象に電子回路の基礎を解説。トランジスタ1個の回路の動作を理解することを目標とした1冊。演習問題を豊富に取り入れ、理解を助ける構成。MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタを解説。

現在のIC回路設計はシミュレーションによって行われており，アナログ回路設計ではほとんどの場合SPICEが使用されている．そこで本書は，SPICEで使用されているトランジスタ・モデルについて詳しく解説した．すなわち，回路設計を行うに当たって必要となるバイポーラ・トランジスタの扱い方や等価回路の意味，パラメータの測定法など，回路設計者として知っておきたい最小限の内容について解説した． 本書は，2 部に分かれている．第1部では，ダイオードについて取り扱っている．ダイオードは様々な半導体素子理論の基礎となるものであり，ダイオードの理論を理解しておくと，その他の半導体についての理論も理解がやさしくなる．第2部では，バイポーラ・トランジスタについて取り扱っている．過去，多くの人々によって開発されてきたバイポーラ・トランジスタの等価回路の説明と，回路設計に対して適用する方法について説明している．また，SPICE で用いられているガンメル・プーン・モデルについての詳しい説明と，さらに近年ガンメル・プーン・モデルの改良版として登場してきたMEXTRAM，VBIC についての説明も行っている．

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4.5 V。最大動作周波数 = 20 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。低ノイズバイポーラトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。低ノイズバイポーラトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力用途向けに設計された TO-92 パッケージに収納されています。鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 W。最小DC電流ゲイン = 120。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準ゲイン帯域幅積 = 4MHz。標準デュアル供給電圧 = ±12 V， ±15 V， ±5 V， ±9 V。標準スルーレート = 16V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 106 dB。幅 = 3.9mm。LF347、LF351、LF353、JFET入力、低入力バイアス及びオフセット電流オペアンプ. LF347、LF351、及びLF353は、一対の高電圧JFETトランジスタ及びバイポーラトランジスタを備えた高速JFET入力オペアンプです。 高スルーレート、低入力バイアス及びオフセット電流、低オフセット電圧温度係数を特長としています。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力の表面実装用途向けに設計された SOT-223 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意