「整流器 90v」の検索結果

定格電圧DC45/90/180Vの電磁クラッチ・ブレーキ制御用電源装置のベーシックモデルです。入力AC100V・AC200V・AC400Vの各電圧に対応。AC100V、AC200V、AC400V、どの電圧仕様でも接続・入力するだけで、電磁クラッチ・ブレーキの動作に必要な直流電圧が得られます。半波整流・全波整流方式の電源装置。半波整流、全波整流、その他さまざまな仕様の電源装置があり、しかも小型・軽量です。接続が容易な端子台タイプで、直流切り端子付きです。水銀や鉛などの6物質について使用を禁止するEUの有害化学物質規制「RoHS指令」に適合しています。

定格電圧DC45/90/180Vの無励磁ブレーキ用小型電源装置です。入力AC100V・AC200V・AC400Vの各電圧に対応。AC100V、AC200V、AC400V、どの電圧仕様でも接続・入力するだけで、電磁クラッチ・ブレーキの動作に必要な直流電圧が得られます。半波整流方式の電源装置。機能を限定した、小型・軽量モデルです。端子台タイプ。接続が容易な端子台タイプで、入力側と出力側のみ設定した簡易型電源装置です。水銀や鉛などの6物質について使用を禁止するEUの有害化学物質規制「RoHS指令」に適合しています。

定格電圧DC45/90/180Vの電磁クラッチ・ブレーキ全般に使用できる、小型・大容量・ワイドレンジ対応の電源装置です。ワイドな入力・出力が可能です。AC100V、AC200V、AC400V、どの電圧仕様でも接続・入力するだけで、電磁クラッチ・ブレーキの動作に必要な直流電圧が得られます。更に半波整流/全波整流の出力を、繋ぎ方の変更で対応が可能ですので、さまざまな仕様の電磁クラッチ・ブレーキをこのデンゲンソウチのみで対応することが可能です。接続が容易な端子台タイプで、入力側と出力側のみ設定した簡易型電源装置で、しかも小型・大容量です。水銀や鉛などの6物質について使用を禁止するEUの有害化学物質規制「RoHS指令」に適合しています。

高効率だからお客様装置の省エネルギーに直結します。 動作周囲温度が広く制御盤内が高温でも機構設計の自由度がアップします。 長寿命なのでお客様装置のメンテナンス頻度が少なくなります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-277A。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 90V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

定格電圧DC45/90/180Vの無励磁ブレーキ用小型電源装置です。入力AC100V・AC200V・AC400Vの各電圧に対応。AC100V、AC200V、AC400V、どの電圧仕様でも接続・入力するだけで、電磁クラッチ・ブレーキの動作に必要な直流電圧が得られます。悪環境での使用に対応。ケース全体を樹脂でモールドしていますので、粉塵などの雰囲気中でも使用が可能です。しかも小型・軽量です。リード線タイプ。中継接続に適したリード線入・出力タイプです。水銀や鉛などの6物質について使用を禁止するEUの有害化学物質規制「RoHS指令」に適合しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 90V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

ローム整流ダイオード

ローム整流ダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-221BC。最大連続 順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 590mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerDI 5。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 890mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 120A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-277A。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 790mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-277A。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 690mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 790mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 100V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 790mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 30A。DiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 490mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 10ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。Fairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 2.72mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。ショットキーバリア整流ダイオード - 1N58シリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited は、1 A及び2 Aの順方向電流定格のショットキーダイオードを提供しています。 このショットキーバリア整流器は、順方向の電圧降下が低く、JEDEC DO-41又はDO-27パッケージに収められています。 このショットキー整流器は、高周波インバータ、極性保護、還流など、高速スイッチングが求められる用途に使用できます。. 構造: エピタキシャル 金属: ガードリング付き半導体ジャンクション プラスチック素材: UL94V-0 極性: カラーバンドでカソードを表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerDI 5。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 490mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 275A。ショットキーバリアダイオード、10 A → 60 A、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 2.72mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。Diodes Inc 1N5817-1N5819ショットキーバリア整流器. 特長:. 過渡保護用のガードリングダイ構造 低電力損失、高効率 高サージ耐量 高電流容量及び低順方向電圧降下 鉛フリー仕上げ、RoHS適合. 特長:. ケース: DO-41 ケース素材: 成形プラスチックUL燃焼性分類 / 等級94V-0 極性: カソードバンド マーキング: 型番及び日付コード 耐湿性: J-STD-020C準拠のレベル1. 代表的用途. ショットキーダイオードは、電圧クランプ用途に使用します。. 低電圧及び高周波インバータ 還流 極性保護用途

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-64。最大連続 順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 90A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = スタッドカソード。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 890mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 125A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323。最大連続 順方向電流 = 250mA。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 590mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

狭くても邪魔にならない帯状LED!明るさアップの両面発光! 屋内・屋外兼用型、AC100V専用、帯状LEDです。両面発光タイプです。 別売オプションの延長用ラインで50mまで延長ができます。 耐衝撃保護等級IK10 最小曲げ半径20mm、低温時は(-10℃以下)45mmです。

スペースが狭くても邪魔にならない帯状LED!自由に曲げれるフレキシブル! 屋内・屋外兼用型、AC100V専用、帯状LEDです。 片面発光タイプです。 別売オプションの延長用ラインで50mまで延長ができます。 耐衝撃保護等級IK10 最小曲げ半径20mm、低温時は(-10℃以下)45mmです。

狭くても邪魔にならない帯状LED!明るさアップの両面発光!。屋内・屋外兼用型、AC100V専用、帯状LED蓄光タイプです。両面発光タイプです。耐衝撃保護等級IK10。最小曲げ半径35mm、低温時は(0℃以下)75mmです。