「a3d-100」の検索結果

HES3D-120型、HES3D-120-A100型をスチールドア(SD)・スチール枠に取付けるためのブラケットです。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 28 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 77 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 9.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 375 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 19 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.67mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 333 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 9.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3700 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 9.02mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 100 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 312 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 55 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3750 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。長さ = 10.67mm。高さ = 4.83mm。QFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 8.3 nC @ 10 V。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

・灯具を単管、パイプ、板材などに固定するのにご使用頂けます。 ・M8ノブボルト付属 ・固定する灯具の重量などによって数量を増やしてご使用ください。

メーカー30万回開閉試験をクリアしています。アームストッパーと併用できます。左右、上下、前後の三次元調整機能付。取付ねじを隠すカバー付きです。仮止機能により施工性が向上します。

屋外で使用可能な2ポート電磁弁です。低温での使用が可能で、最低周囲温度はー20℃から対応します。屋外想定試験である促進対候性試験を1000時間(3年加速相当)、複合サイクル試験を960時間(7年加速相当)、オゾン暴露試験を400時間、クリアしました。耐候性を配慮した部品を採用し、屋外など過酷な環境での使用を想定しています。(錆対応、防塵・防水(IP65)など)。パイロットキック式で、作動圧力差0でも作動します。

PIC16F1773/1776/1777/1778/1779 8ビットマイクロコントローラ. PIC16F177xファミリのマイクロコントローラは、多様な機能、特にSMPSアプリケーション用に設計されたMicrochipの拡張ミッドレンジコアをベースにした、周辺機器が豊富なMCUです。 このデバイスは、ピンを使用したりさらに基板面を使用したりすることなく、オンボード周辺機器を内部接続してクローズドループシステムを作成する機能を備えています。. マイクロコントローラの機能. CPU速度: 最大8 MIPS 49の命令が搭載された改良型ミッドレンジコア、16スタックレベル 定電流パワーオンリセット(POR) 構成可能パワーアップタイマ(PWRT) ブラウンアウトリセット(BOR)、選択可能なトリップポイント 拡張ウォッチドッグタイマ(EWDT) 超低消費電力(XLP)機能 内部精密発振器. アナログ周辺機器. 10ビットA/Dコンバータ(ADC) 17又は28チャンネル(モデルによって異なる) オペアンプ モデルによって3又は4 高速コンパレータ モデルによって6又は8 D/Aコンバータ(DAC) モデルによって3又は4 電圧基準 ゼロクロス検出(ZCD) プログラム可能ランプジェネレータ(PRG) モデルによって3又は4 2つの高電流ドライブI/O 最大100 mAシンク又はソース(@ 5V). デジタル周辺機器. 4つの設定可能なロジックセル(CLC) 内蔵のコンビネーション ステートロジック コンプリメンタリ出力発生器(COG) モデルによって3又は4 キャプチャ コンペア PWM(CCP)モデル モデルによって3又は4 パルス幅変調器(PWM) モデルによって3又は4 データ信号変調器(DSM) モデルによって3又は4 ペリフェラルピン選択(PPS) シリアル通信 拡張USART (EUSART)、SPI、I2C、RS-232、RS-485、LIN互換

VE7835Aは、解像度4K60p(4096×2160 @ 60Hz 4:4:4)のHDMI信号を最大100m延長できる光ケーブルです。HDMI(3D、Deep Color、4K)、HDCP 2.2準拠。解像度4K60p(4096×2160 @ 60Hz 4:4:4)のHDMI信号を最大100m延長可能。HDR対応。EMIおよびRFIの削減によりノイズ干渉を低減。マルチオーディオチャンネル対応 - Dolby TrueHDおよびDTS-HD Master Audio。堅牢なケーブル引っ張り強度(最大10kg)と圧縮荷重耐性(最大50kg)。Micro USBケーブルを介した追加電源の使用に対応。信頼性の高いトランス伝送用金メッキコネクター。国際基準準拠：UL CMP-OF(プレナム)。取り付け/取り外し可能なコネクターにより配線が簡単。プラグアンドプレイ対応

1台で空気、窒素、アルゴン、炭酸ガス、混合ガス(混合比Ar：CO2(8：2))に対応できる小形の流量センサです。 高精度・高応答 繰返し精度：±1%F.S.以内、表示精度：±3%F.S.以内、応答時間：50msec 流路の再設計により従来品に比べ最大50%の圧力損失を低減しました。 双方向での流体計測が可能でタクトタイムの短縮に貢献します。流れ方向を順方向、双方向、逆方向の3つから任意に設定可能です。 液晶ディスプレイの表示を上下反転することが可能です。 オプション選択により、ブラケット、DINレール、パネルマウントでの取付が可能です。 継手部分はワンタッチ式エルボ、ワンタッチ式ストレート、ねじ込み式エルボ、ねじ込み式ストレートの4つから選択可能です。

ツイストペアケーブル1本で長距離伝送可能なHDBaseT準拠。HDMI(3DDeepColor4K※)、HDCP2.2準拠。解像度(延長距離)-カテゴリ6aケーブル使用時は最大4K※(100m)、カテゴリ5e/6ケーブル使用時は最大4K※(70m)。ワイドスクリーン対応。プラグアンドプレイ-ソフトウェア不要。8KV/15KVESD保護および1KVサージ保護。ラックマウント対応。。※STPケーブルまたはATEN製HDBaseTアライアンス推奨カテゴリ6SF/UTPケーブル(型番:2L-2910)のご使用を推奨します。※対応する4K解像度は、3840×2160@30Hz(4:4:4)、3840×2160@60Hz(4:2:0)、4096×2160@30Hz(4:4:4)、4096×2160@60Hz(4:2:0)です。

ツイストペアケーブル1本で長距離伝送可能なHDBaseT準拠。HDMI(3DDeepColor4K※)、HDCP2.2準拠。解像度(延長距離)-カテゴリ6aケーブル使用時は最大4K※(100m)、カテゴリ5e/6ケーブル使用時は最大4K※(70m)。ワイドスクリーン対応。プラグアンドプレイ-ソフトウェア不要。8KV/15KVESD保護および1KVサージ保護。ラックマウント対応。。※STPケーブルまたはATEN製HDBaseTアライアンス推奨カテゴリ6SF/UTPケーブル(型番:2L-2910)のご使用を推奨します。※対応する4K解像度は、3840×2160@30Hz(4:4:4)、3840×2160@60Hz(4:2:0)、4096×2160@30Hz(4:4:4)、4096×2160@60Hz(4:2:0)です。

PIC16F1773/1776/1777/1778/1779 8ビットマイクロコントローラ. PIC16F177xファミリのマイクロコントローラは、多様な機能、特にSMPSアプリケーション用に設計されたMicrochipの拡張ミッドレンジコアをベースにした、周辺機器が豊富なMCUです。 このデバイスは、ピンを使用したりさらに基板面を使用したりすることなく、オンボード周辺機器を内部接続してクローズドループシステムを作成する機能を備えています。. マイクロコントローラの機能. CPU速度: 最大8 MIPS 49の命令が搭載された改良型ミッドレンジコア、16スタックレベル 定電流パワーオンリセット(POR) 構成可能パワーアップタイマ(PWRT) ブラウンアウトリセット(BOR)、選択可能なトリップポイント 拡張ウォッチドッグタイマ(EWDT) 超低消費電力(XLP)機能 内部精密発振器. アナログ周辺機器. 10ビットA/Dコンバータ(ADC) 17又は28チャンネル(モデルによって異なる) オペアンプ モデルによって3又は4 高速コンパレータ モデルによって6又は8 D/Aコンバータ(DAC) モデルによって3又は4 電圧基準 ゼロクロス検出(ZCD) プログラム可能ランプジェネレータ(PRG) モデルによって3又は4 2つの高電流ドライブI/O 最大100 mAシンク又はソース(@ 5V). デジタル周辺機器. 4つの設定可能なロジックセル(CLC) 内蔵のコンビネーション ステートロジック コンプリメンタリ出力発生器(COG) モデルによって3又は4 キャプチャ コンペア PWM(CCP)モデル モデルによって3又は4 パルス幅変調器(PWM) モデルによって3又は4 データ信号変調器(DSM) モデルによって3又は4 ペリフェラルピン選択(PPS) シリアル通信 拡張USART (EUSART)、SPI、I2C、RS-232、RS-485、LIN互換

有効刃数3枚刃による圧倒的速さの穴あけ加工が可能です。独創的なポケットデザインで振れを最小限に抑え高い繰り返し精度を実現します。安定した食い付きで曲がりや倒れを防止し、高精度穴あけ加工が可能です。

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カムドリルジェット ヘッド交換式穴明け工具。チップ先端のクーラント穴より適切な内部給油を実現しアルミ、難削材料でのスムーズな切屑排出が可能

屋外で使用可能な2ポート電磁弁です。低温での使用が可能で、最低周囲温度はー20℃から対応します。屋外想定試験である促進対候性試験を1000時間(3年加速相当)、複合サイクル試験を960時間(7年加速相当)、オゾン暴露試験を400時間、クリアしました。耐候性を配慮した部品を採用し、屋外など過酷な環境での使用を想定しています。(錆対応、防塵・防水(IP65)など)。パイロットキック式で、作動圧力差0でも作動します。