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【525VX3】(400～1000cc車輌向け)・軽快な操作感組み立て精度向上により、重量を増加させる事なく、チェーンの剛性を向上。『軽快な操作感』に磨きをかけました。・幅広い車種に適合チェーンの強度を高める事で、適合排気量を拡大しました。525サイズながら400ccから1000ccまでの幅広い車種に適合します。・Xリング改良し、超低フリクション、ロングライフD.I.D独自の特許形状シール『Xリング』を搭載。シールの屈曲抵抗を極限まで抑え、低フリクションはそのままに長寿命を実現。安定した性能を発揮します。

D.I.D X-Ringによる長寿命化と、50%の摺動抵抗削減に加えて、新たにレースで培った独自の技術を採用し、操作性の向上を実現しました。 軽快な操作感をもたらす「ライトライティングチェーン」の誕生です。

ライダーの感性を重要視した新設計コンセプト「DIRECT」が生み出すレスポンス。 スーパースポーツが持つ底知れぬパワーや加速感を思うままに操る為に、実用域である「実使用域動剛性」を重視、卓越した加速効率とコントロール性に優れた新世代チェーンです。

カシメタイプ(ZJ)ジョイント。

カシメタイプ(ZJ)ジョイント。

ピンにSUPER DH加工を施す事により耐摩耗性能を飛躍的に向上させ、ノンシールチェーンの領域を超えた抜群の耐久性を持つチェーンです。シールチェーンを使用しない旧車等に適しています。 新しくラインアップに追加された428NZは従来の428DSに比べ破断強度15%UP、ピンにSUPER DH加工する事で耐摩耗性能約1.8倍向上させた、ミニモトクロス用に最適なチェーンです。 428・520・525・530の各サイズに対応、チェーンラインの狭い旧車にも最適です。強化プレートとSDHピン加工により優れた性能を持つノンシールチェーンの最高峰です。

チェーンを接続する際に使用します。ジョイントを取り付ける前にチェーンをホールドできます。

従来の工具のカッターの概念を見事に打ち破り、特にその能力の良さが発揮される最新型の製品です。 ローラーチェーンを固定し、ハンマーでピン抜きヘッド部をたたいてチェーンピンを抜きます。

ローラーチェーンのプレートとピンを外してチェーンの切断を容易にするチェーンカッターです。

付属の交換ピンはグリップ内に収納します。自転車・バイク・農機具・伝導機器などのローラーチェーンのピン抜き作業に適しています。

1000cc以上のビックバイクユーザー向け

D.I.Dチェーンカット&リベットツール「かし丸君」は、そのユニークな名前どおり従来のツールとは全く異なる形状とサイズで、大型シールチェーンも楽々カットできるばかりでなく、この一つのボディでジョイントリンクのプレート圧入から、ピンのかしめまで対応できるオールマイティなツールです。

R-XWシリーズ優れたコストパフォーマンス各サイズでメインとなる排気量において充分な強度を確保しながら軽量化することで、高いコストパフォーマンスを実現しました。高い耐久性R-XWリングは2重プール構造によりグリス封入性を大幅に向上し、標準的なO-Ring(メーカー製品)と比べ1.7倍の耐久性を実現しました。より長期間、ライダーの足元を支えます。さらに高強度化R-XWシリーズは、旧モデルのRXシリーズに比べて10%の強度UPを実現しました。ライダーのコントロールに、より早く応えます。GVシリーズレーシーなイメージで足回りを引き立たせる、定番のゴールドカラー。ニッケルメッキ+ゴールドコートによるWコーティングで、全ての部品にゴールド処理が施してあります。優れた長期耐腐食性を発揮。

スーパーノンシールチェーンNZシリーズ用ジョイント。

チェーンのカット、プレートの圧入、かしめの3つの作業が可能。DID、RK、EKなど、さまざまなチェーンメーカーの420 / 428 / 520 / 525 / 530サイズに対応。作業の流れを考慮したシンプルな部品構成で、汎用性、作業性、収納性を高めた、サンデーメカニックのためのハイパフォーマンスツール。

街乗り・ツーリング・ワインディングユーザー向け

USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1) USB(A)-Type-Cケーブルの特徴ACアダプターやパソコンからスマートフォン、カメラ、イヤホンなどの充電やデータ通信に使用でき、モバイルバッテリーからも充電が可能です。さらに、コネクタはリバーシブルデザインになっており、どちらの向きでも差し込める便利な仕様です。【商品詳細】規格：USB Type-C 3.2 Gen2 (USB 3.1)ケーブル長さ：1m転送速度：最大10Gbps(3m以内)、5Gbps(5m以上)充電能力：最大5V 3.0A【Quick Charge 3.0対応】Qualcomm社のQuick Charge 3.0規格に対応しており、対応するAndroid端末と急速充電器を組み合わせることで、短時間での充電が可能です。Quick Charge 2.0にも対応しており、充電がより効率的に行えます。【56KΩレジスタ実装で安全性を確保】USB Type-C端子は、従来のUSB Type-A端子に比べて大きな電力を供給できます。しかし、片方がUSB Type-Aの場合は、性能に制限がかかることがあります。そのため、このケーブルには56KΩレジスタが実装されており、安全に適切な電流が流れるようになっています。これにより、デバイスの破損を防ぐことができます。ご安心してお使いください。※ただし、ご使用のデバイスの性能によって供給される電流値は異なります。※USB Power Delivery(USB PD)には対応していません。【安全認証】Type-C IF認証CE認証：欧州連合基準適合マークFCC認証：アメリカ連邦通信委員会規制ROHS認証：有害物質の使用を制限する欧州連合(EU)指令に適合当店のケーブルは、USB Type-C規格に対応しており、安全に使用できます。【対応機種】YAMAHAAUDIO/MIDIインターフェースUR22C BOCCHI EDITION・ヘッドホン/イヤホンEP-E30AEP-E50AEP-E70ATW-E3ATW-E3BTW-E3CTW-E5ATW-E5BTW-E7ATW-E7BYH-E700BYH-L700A・アンプ/ヘッドホンYH-WL500・スピーカーWS-B1A・電子ピアノCSP-275CSP-255P-525・UTM/ファイアウォールUTX100UTX200Coleman/コールマンリチャージャブルハンギングランタンmont-bell/モンベルサテライト マルチランプエレコム・イヤホン・ヘッドホンLBT-TWS05シリーズLBT-TWS05BKLBT-TWS05RDLBT-TWS05WHLBT-HSC10MPシリーズLBT-HSC10MPBKLBT-HSC10MPBULBT-HSC10MPRDLBT-HSC10MPWHLBT-HSC10PCBKLBT-HSC20MPシリーズLBT-HSC20MPBKLBT-HSC20MPBULBT-HSC20MPGDLBT-HSC20MPRDLBT-HSC20MPSVLBT-HSC20PCBKすべての対応機種は記載できておりません。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = MegaFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A、136 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 127 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 69 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大パワー消費 = 42 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 10.2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

バイクチェーン用ジョイント

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 49 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 69 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ UniFET実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 570 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 56 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.22mm動作温度 Min -55 ℃mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.9 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 94 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 80 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mm自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 107 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 38 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

BS EN 60529: 1992. Shielded (EMC) version has a carbon loaded silicone seal. IP68 Deltron 483 Series Diecast Aluminium Boxes， Flanged. The Deltron 480 series diecast aluminium flanged enclosures are rated at IP68 as defined in the IEC standard 60529. IP68 is the highest grade of protection defined in this standard. These boxes can handle depths of up to 5 metres for 1 hour and are certified to BS EN60529 1992. Making these enclosures ideal for systems exposed to demanding environmental conditions in marine， industrial， food preparation， transportation， leisure and other applications. Shielded (EMC) version available. Plain diecast aluminium enclosure PCB mounting guides on selected models Hard neoprene rubber seal with self adhesive backing Lid has seal location lugs to aid fitment and sealing Lid secured by M3.5 x 12 stainless steel fixing screws Minimum seal thickness 3.0mm， minimum seal frame width 4.0mm Minimum enclosure wall / lid thickness 1.5mm