「do-001」の検索結果

日本メーカー監修の高品質なオイルフィルターです。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-201AD。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。高さ = 9.5mm。寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm。直径 = 5.3mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +200 ℃。長さ = 4.06mm。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.06mm。直径 = 1.91mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-41。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。高さ = 9.5mm。直径 = 5.3mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

最大順方向電流 = 1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 50V。パッケージタイプ = DO-41。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 15pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 5.21mm。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.21mm。直径 = 2.72mm。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングルA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = DO-214BA (GF1)。最大順方向降下電圧 = 1.1V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.7mm。幅 = 2.9mm。高さ = 2.7mm。寸法 = 4.7 x 2.9 x 2.7mm。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-201AD。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 9.5mm。寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm。直径 = 5.3mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.4mm。幅 = 1.7mm。高さ = 1.7mm。寸法 = 1.75 (Dia.) x 3.4mm。直径 = 1.75mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Max = +175 ℃。高さ = 4.56mm。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。直径 = 1.91mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

ダイオード構成 シングル。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 1.1V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

アウターレースにポリアセタール樹脂、ボールとインナーレースにはスチールを使用したプラスチックベアリングです。

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 1.1V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

合成ゴム材料の中で最も優れた耐熱性、耐油性、耐燃料油性を有しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。