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「カンバリ」に貼り付けるだけで、表示スタンドになります。

アルミ合金加工に最適。銅合金・プラスチック加工にも使用できます。

ツルツルタイプの低密度ポリエチレン(LDPE)製ポリ袋キッチンでのストレス軽減、開け口に段差がついているので開けやすいパッと開けるキッチン用ポリ袋冷蔵庫や冷蔵庫の食品保存や、食材・お菓子の保存や小分けに便利

作業効率が向上しました。 メーカー従来品は、両面のガラスを同時に固定する構造でした。 新製品のGEBDS/GEBDFは片面ずつ固定することにより、ガラス取替・交換が容易に行えるようになりました。

70 MHz、100 MHz、200 MHz帯域幅モデル。12-bit高分解能。最大2 GSa/sのリアルタイム・サンプリング・レート。最大50/100 Mptsのメモリー深度。最大500，000 wfm/sの波形キャプチャ・レート(シーケンス・モード)。7インチ・タッチスクリーン、外部マウスおよびキーボード対応

両面テープ付です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

●外曲がりの直角接続に使用します。※ 130 × 60 型につきましては「フリーコンセントシリーズ」として、ライトベージュ色もございます。

・和洋、様々なインテリアに馴染むアンティークデザイン ・無段階で電球色～昼白色までの発光色を調節可能! ・無段階で明るさ調節可能! ・最長75時間点灯可能 ・充電の他、乾電池も使用でき停電時や急な充電切れでも安心! ・ライト部の防眩カバーでLEDの刺激的な光を緩和し優しい光を演出 ・目に優しい電球色での使用は、寝室での利用時も睡眠を妨げにくい ・1台で明るさ、発光色を調節できるからあらゆるシーン・用途でおすすめ

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 29 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2000 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.5mm。自動車用デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

ミニチュア中空シャフトエンコーダ. モータのシャフトなどに直接取り付けるように設計された500 pprエンコーダです。どちらのバージョンにも2つのデジタル出力波形があり、位相差90°で分解能と方向情報を提供します。ただし、3チャネルバージョンでは、1回転ごとにパルス出力(インデックス)を生成するので、汎用性が向上します。 TTL互換出力の 5 V dc 動作 動作温度: -40～+100 ℃ プラグインケーブルアセンブリ(別売)で接続

粉末ハイスXPMを母材に採用した2枚刃のショート刃エンドミルシリーズです。

EgiAsコーティング採用で耐摩耗性・じん性が向上。切れ味がよく欠けにくい刃先形状。

耐水性ポリウレタンチューブ。エア、工業用水問わず配管可能。色分けにより配管識別が容易、見える化に。既に溶着されており、工数削減、美観も良くなります。横長の配管が難しい箇所のスリム化に。ワンタッチ継手使用可能

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 177 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A