「fet」の検索結果

形G6Dと同一形状でAC/DC両用、DC専用をシリーズ化。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。

形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。 AC/DC両用、1A負荷開閉可能。 AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。

フェラーリ・公式ライセンス品 アップルMFI認証 同期&充電Lightningケーブルです

圧縮空気から窒素ガスを手軽に分離精製します。エアフィルタやレギュレータなどを標準装備したシステムタイプです。酸素を透過しやすい性質の中空糸分離膜を利用し、窒素富化(ふか)ガスを取り出します。窒素濃度90%から使用可能になりました。防爆などの低酸素濃度環境への窒素供給でも使用可能です。2021年に横置きタイプを新たにラインナップし、デッドスペースへの設置や装置へのビルトイン設置を可能にしました。小形・軽量のため、装置の近くに設置が可能です。窒素専用の長配管工事が不要で、窒素濃度の立ち上がりも早くなります。電源不要で防爆雰囲気・異電圧地域などでも使用可能です。維持費はエアコンプレッサの電気代だけです。ボンベの補充費用や残量管理や交換業務が不要です。(ただし、酸素濃度計・流量センサ付の場合は電源が必要になります。)。モジュール接続のため、設置後の増連や部品交換が容易にできます。高圧ガス保安法対象外で、届け出や有資格者の配置が不要です。NSU専用の流量センサ付で、窒素ガス流量の常時監視が可能です。インライン酸素濃度計PNAシリーズ付で常時管理が可能です。

圧縮空気から窒素ガスを手軽に分離精製します。エアフィルタやレギュレータなどを標準装備したシステムタイプです。酸素を透過しやすい性質の中空糸分離膜を利用し、窒素富化(ふか)ガスを取り出します。窒素濃度90%から使用可能になりました。防爆などの低酸素濃度環境への窒素供給でも使用可能です。2021年に横置きタイプを新たにラインナップし、デッドスペースへの設置や装置へのビルトイン設置を可能にしました。小形・軽量のため、装置の近くに設置が可能です。窒素専用の長配管工事が不要で、窒素濃度の立ち上がりも早くなります。電源不要で防爆雰囲気・異電圧地域などでも使用可能です。維持費はエアコンプレッサの電気代だけです。ボンベの補充費用や残量管理や交換業務が不要です。(ただし、酸素濃度計・流量センサ付の場合は電源が必要になります。)。モジュール接続のため、設置後の増連や部品交換が容易にできます。高圧ガス保安法対象外で、届け出や有資格者の配置が不要です。NSU専用の流量センサ付で、窒素ガス流量の常時監視が可能です。インライン酸素濃度計PNAシリーズ付で常時管理が可能です。

圧縮空気から窒素ガスを手軽に分離精製します。エアフィルタやレギュレータなどを標準装備したシステムタイプです。酸素を透過しやすい性質の中空糸分離膜を利用し、窒素富化(ふか)ガスを取り出します。窒素濃度90%から使用可能になりました。防爆などの低酸素濃度環境への窒素供給でも使用可能です。2021年に横置きタイプを新たにラインナップし、デッドスペースへの設置や装置へのビルトイン設置を可能にしました。小形・軽量のため、装置の近くに設置が可能です。窒素専用の長配管工事が不要で、窒素濃度の立ち上がりも早くなります。電源不要で防爆雰囲気・異電圧地域などでも使用可能です。維持費はエアコンプレッサの電気代だけです。ボンベの補充費用や残量管理や交換業務が不要です。(ただし、酸素濃度計・流量センサ付の場合は電源が必要になります。)。モジュール接続のため、設置後の増連や部品交換が容易にできます。高圧ガス保安法対象外で、届け出や有資格者の配置が不要です。NSU専用の流量センサ付で、窒素ガス流量の常時監視が可能です。インライン酸素濃度計PNAシリーズ付で常時管理が可能です。

圧縮空気から窒素ガスを手軽に分離精製します。エアフィルタやレギュレータなどを標準装備したシステムタイプです。酸素を透過しやすい性質の中空糸分離膜を利用し、窒素富化(ふか)ガスを取り出します。窒素濃度90%から使用可能になりました。防爆などの低酸素濃度環境への窒素供給でも使用可能です。2021年に横置きタイプを新たにラインナップし、デッドスペースへの設置や装置へのビルトイン設置を可能にしました。小形・軽量のため、装置の近くに設置が可能です。窒素専用の長配管工事が不要で、窒素濃度の立ち上がりも早くなります。電源不要で防爆雰囲気・異電圧地域などでも使用可能です。維持費はエアコンプレッサの電気代だけです。ボンベの補充費用や残量管理や交換業務が不要です。(ただし、酸素濃度計・流量センサ付の場合は電源が必要になります。)。モジュール接続のため、設置後の増連や部品交換が容易にできます。高圧ガス保安法対象外で、届け出や有資格者の配置が不要です。NSU専用の流量センサ付で、窒素ガス流量の常時監視が可能です。インライン酸素濃度計PNAシリーズ付で常時管理が可能です。

圧縮空気から窒素ガスを手軽に分離精製します。エアフィルタやレギュレータなどを標準装備したシステムタイプです。酸素を透過しやすい性質の中空糸分離膜を利用し、窒素富化(ふか)ガスを取り出します。窒素濃度90%から使用可能になりました。防爆などの低酸素濃度環境への窒素供給でも使用可能です。2021年に横置きタイプを新たにラインナップし、デッドスペースへの設置や装置へのビルトイン設置を可能にしました。小形・軽量のため、装置の近くに設置が可能です。窒素専用の長配管工事が不要で、窒素濃度の立ち上がりも早くなります。電源不要で防爆雰囲気・異電圧地域などでも使用可能です。維持費はエアコンプレッサの電気代だけです。ボンベの補充費用や残量管理や交換業務が不要です。(ただし、酸素濃度計・流量センサ付の場合は電源が必要になります。)。モジュール接続のため、設置後の増連や部品交換が容易にできます。高圧ガス保安法対象外で、届け出や有資格者の配置が不要です。NSU専用の流量センサ付で、窒素ガス流量の常時監視が可能です。インライン酸素濃度計PNAシリーズ付で常時管理が可能です。

圧縮空気から窒素ガスを手軽に分離精製します。エアフィルタやレギュレータなどを標準装備したシステムタイプです。酸素を透過しやすい性質の中空糸分離膜を利用し、窒素富化(ふか)ガスを取り出します。窒素濃度90%から使用可能になりました。防爆などの低酸素濃度環境への窒素供給でも使用可能です。2021年に横置きタイプを新たにラインナップし、デッドスペースへの設置や装置へのビルトイン設置を可能にしました。小形・軽量のため、装置の近くに設置が可能です。窒素専用の長配管工事が不要で、窒素濃度の立ち上がりも早くなります。電源不要で防爆雰囲気・異電圧地域などでも使用可能です。維持費はエアコンプレッサの電気代だけです。ボンベの補充費用や残量管理や交換業務が不要です。(ただし、酸素濃度計・流量センサ付の場合は電源が必要になります。)。モジュール接続のため、設置後の増連や部品交換が容易にできます。高圧ガス保安法対象外で、届け出や有資格者の配置が不要です。NSU専用の流量センサ付で、窒素ガス流量の常時監視が可能です。インライン酸素濃度計PNAシリーズ付で常時管理が可能です。

オクトミル用片面8コーナ仕様のインサートです。

仕上げ用メインブレーカFE型は低炭素鋼、一般鋼加工用シリーズにおいて幅広い送り領域で安定した切りくず処理性を発揮。

仕上げ用メインブレーカFE型は低炭素鋼、一般鋼加工用シリーズにおいて幅広い送り領域で安定した切りくず処理性を発揮。

仕上げ用メインブレーカFE型は低炭素鋼、一般鋼加工用シリーズにおいて幅広い送り領域で安定した切りくず処理性を発揮。

仕上げ用メインブレーカFE型は低炭素鋼、一般鋼加工用シリーズにおいて幅広い送り領域で安定した切りくず処理性を発揮。

仕上げ用メインブレーカFE型は低炭素鋼、一般鋼加工用シリーズにおいて幅広い送り領域で安定した切りくず処理性を発揮。

仕上げ用メインブレーカFE型は低炭素鋼、一般鋼加工用シリーズにおいて幅広い送り領域で安定した切りくず処理性を発揮。

防水形圧着スリーブは、絶縁被覆部分に「高密度ポリエチレン」と「ポリアミド系接着剤」の特殊な二重構造のチューブを使用しています。 圧着後にヒートガン等で被覆部を加熱することで、チューブと電線被覆が接着され防水・防塵効果が得られます。 ほとんどの電線に使用できますが、被覆材料がシリコンゴム、ガラス編組、テフロン(FET、TFE等)、フッ素ゴムのものは、密着効果は期待できません。

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。自動車規格 = AEC-Q100。高速スイッチング及び伝播速度 スイッチ間の低クロストーク すべての入力 / 出力でダイオード保護 アナログ電源範囲( VCC - VEE ) = 2.0 → 12.0 V デジタル(制御)電源範囲( VCC - GND ) = 2.0 → 6.0 V 金属ゲートカウンタ部品よりも直線性が向上し、オン抵抗が低減しています 低ノイズ チップの複雑さ： HC4051A-184 FET または 46 相当 Gates HC4052A-168 FET 又は 42 等価 Gates HC4053A-156 FET 又は 39 相当の Gates

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.75V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。論理出力 = あり。シリーズ = H11F。オプトカプラ、アナログFET出力、Fairchild Semiconductor. この光検出器は、赤外線発光ダイオードの入力から電気的に絶縁されています。 このオプトカプラは、低レベルのAC及びDCアナログ信号の歪みない制御向けに設計された、理想的な絶縁型FETです。

Infineon のハイサイド電源スイッチは、垂直パワー FET を内蔵しており、保護及び診断機能を内蔵しています。サーマルシャットダウン、再起動機能、ロードダンプを含む過電圧保護を備えています。スタンバイ電流が非常に低くなっています ESD 保護機能を備えています fail イベントにフラグが設定されています

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ. Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。. 特長. 高入力インピーダンス 低入力静電容量 高速なスイッチング速度 低オン抵抗 二次降伏なし 低い入力及び出力漏れ. 代表的用途. 常時オンスイッチ ソリッドステートリレー コンバータ リニアアンプ 定電流源 電源回路 電気通信

Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ. Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。. 特長. 高入力インピーダンス 低入力静電容量 高速なスイッチング速度 低オン抵抗 二次降伏なし 低い入力及び出力漏れ. 代表的用途. 常時オンスイッチ ソリッドステートリレー コンバータ リニアアンプ 定電流源 電源回路 電気通信

ベツセルビットは、生産量は日本でトップ。大量ロット生産で品質の安定と低コストが実現しています。オリジナル特殊合金鋼使用、高度な加工技術と徹底した品質管理により、最も折れに強いビットとして実績があります。 ベツセル製 GT-H4R・H4PR・H4.5・H5R・H5P・PH4・PH5・S4.5D・PLR・PLZ・PLP・PLH・S6MLR・S6HS・S6.5・P4.5D・P5LS・P6GD・P6LS・P6MS・P6HS・P6.5D・S4TR/S/G・S4TFR/S/G・S5TR/B/G・S5TFR/B/G・S5TS 東日製 AU50R 日本ニューマチック製 SD-4 ND-6SC・6PC・5・5L・5HL・5LPY・6LPY・6HP-3WY・6HPLY・6LSY・6HSY・6HPAY NPW-450-DYO・550-DYO 不二空機製 FPW-440D-20・550D-20・660D-30・770D-20・400SD-10・440SD-10・550SD-10・660SD-10 FET-44D-10・55D-10・66D-10 FW-44SD-10・66SD-10・44PD-10・66PD-10・66PAD-10 MAX製 AT-ID650P・600P ユタニ製 D-6SSAEL・5WPEA・6SPAL・6WSPEA・600SHEA DH-4.5PEA ヨコタ製 YX-180SB・280SB・380SB・500SB・80B・180B・280B・380B・500B YD-400SCB・4.5PBZK・50PBZ・65PBZ・65PTBZ・500PBZ ・600PBZ・650PBZ・40PBZ Y-40SB・60SB・40B・55B・60B 東芝製 CDIV-9KS CDIV-9AKS CDT-9K CDW-9K

トランジスタ出力 ‐ FET及びMOSFET、Infineon. InfineonのPDV13シリーズは、アナログ信号の汎用スイッチングに使用されている電気機械式リレーを置き換える、常時開の単極ソリッドステートリレーです。 このシリーズは、InfineonのHEXFETパワーMOSFETを出力スイッチとして利用し、斬新な構造の太陽光発電集積回路で駆動されます。. バウンスのない動作 1010オフ抵抗 1，000 V/μsec dv/dt 入力感度: 5 mA 4，000 Vrms I/O絶縁 ソリッドステートの安定性

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作

Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン ソース間降伏電圧 最大 1200 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作

Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作