1極10A、2極5Aの汎用パワーリレー。コイル-接点間耐電圧5000V、耐サージ電圧10000Vの安全設計。
形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。
AC/DC両用、1A負荷開閉可能。
AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。
出力間開路時漏れ電流10μA以下。
入出力間耐電圧AC2500V。
入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。
AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。
RoHS適合。
質量(g)約20
負荷電圧(V)AC3~264、DC3~125
出力の適合負荷1.0A AC5~240V、DC5~100V
絶縁方式フォト・ボル・カプラ
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)
使用周囲温度(℃)-30~+85(ただし、氷結および結露しないこと)
端子構造プラグイン端子
使用周囲湿度45~85%RH
定格負荷電圧(V)DC5~100 AC5~240
保存温度範囲(℃)-30~+100(ただし、氷結および結露しないこと)
漏れ電流(mA)開路時/1×10-2以下(DC125Vにて)、0.1以下(AC200Vにて)
復帰電圧DC1V以上
耐衝撃(m/s2)1000
耐振動10~55~10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)
出力オン抵抗(Ω)2.4以下
負荷電流(A)100μA~1A
サージオン電流耐量(A)10(10ms)
RoHS指令(10物質対応)対応
耐電圧(V/min)(入出力間)AC2500 50/60Hz
商品タイプリレー同一形状
ゼロクロス機能無
1極8A開閉を実現した小型パワーリレー。
高さ15mmの低背(オムロン社製形G2Rの約60%)。
小型ながらAC250V、8Aが開閉可能。
消費電力220mWの高感度。
絶縁距離8mm、コイル-接点間耐衝撃電圧10kVの高絶縁。
使用周囲温度は85℃を満足。
標準品にて、VDE規格を取得。RoHS適合。
用途制御機器
RoHS指令(10物質対応)対応
・供給弁:N.O.仕様を追加
停電/電源OFF時の真空発生 (供給圧が確保されている場合)が可能
停電時のワーク落下を防止 (供給圧が確保されている場合)
・エジェクタの効率化により吸込流量50%増加(メーカー1段エジェクタとの比較)
・高消音サイレンサの採用で低騒音&吸込流量向上
排気方式高消音サイレンサ排気
RoHS指令(10物質対応)対応
関連資料カタログ(40.18MB)
ボディ形式単体
取扱説明書(5.51MB)
エジェクタ/ノズル呼び径ノズル:Φ1.5
供給弁/破壊弁/真空用圧力スイッチコネクタ仕様供給弁:自己保持、破壊弁:N.C.
・供給弁:N.O.仕様を追加
停電/電源OFF時の真空発生 (供給圧が確保されている場合)が可能
停電時のワーク落下を防止 (供給圧が確保されている場合)
・エジェクタの効率化により吸込流量50%増加(メーカー1段エジェクタとの比較)
・高消音サイレンサの採用で低騒音&吸込流量向上
排気方式高消音サイレンサ排気
RoHS指令(10物質対応)対応
関連資料カタログ(40.18MB)
ボディ形式単体
取扱説明書(5.51MB)
エジェクタ/ノズル呼び径ノズル:Φ0.7
供給弁/破壊弁/真空用圧力スイッチコネクタ仕様供給弁:自己保持、破壊弁:N.C.
・供給弁:N.O.仕様を追加
停電/電源OFF時の真空発生 (供給圧が確保されている場合)が可能
停電時のワーク落下を防止 (供給圧が確保されている場合)
・エジェクタの効率化により吸込流量50%増加(メーカー1段エジェクタとの比較)
・高消音サイレンサの採用で低騒音&吸込流量向上
排気方式高消音サイレンサ排気
RoHS指令(10物質対応)対応
関連資料カタログ(40.18MB)
ボディ形式単体
取扱説明書(5.51MB)
エジェクタ/ノズル呼び径ノズル:Φ1.2
供給弁/破壊弁/真空用圧力スイッチコネクタ仕様供給弁:自己保持、破壊弁:N.C.
・供給弁:N.O.仕様を追加
停電/電源OFF時の真空発生 (供給圧が確保されている場合)が可能
停電時のワーク落下を防止 (供給圧が確保されている場合)
・エジェクタの効率化により吸込流量50%増加(メーカー1段エジェクタとの比較)
・高消音サイレンサの採用で低騒音&吸込流量向上
排気方式高消音サイレンサ排気
RoHS指令(10物質対応)対応
関連資料カタログ(40.18MB)
ボディ形式単体
取扱説明書(5.51MB)
エジェクタ/ノズル呼び径ノズル:Φ1.0
供給弁/破壊弁/真空用圧力スイッチコネクタ仕様供給弁:自己保持、破壊弁:N.C.
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