TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))TE Connectivity セメント抵抗器 SQM5シリーズ 6.8Ω 5W ±5%
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エコ商品
仕様抵抗 = 6.8Ω定格電力 = 5W許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線シリーズ = SQM5ケーススタイル = セラミック温度係数 = ±300ppm/℃終端スタイル = ラジアル寸法 = 13 x 9 x 25mm長さ = 13mm奥行き = 9mm高さ = 25mmリードピッチ = 5mm5W SQM5シリーズ. TE Connectivity SQシリーズのハイパワー抵抗器は、セラミックコア内に極細ノンアルカリセラミックコアを埋め込み、無機シリカフィルタでシールドした構造が特徴です。 このため、SQシリーズには、高い絶縁抵抗、低い表面温度、優れたTCR、完全な難燃性構造が備わっています。 SQシリーズの抵抗器は、高効率の熱的性能が必要なあらゆる用途に最適です。. 難燃性 5 W @ 70 ℃の定格電力 値がマークされた抵抗器 最大700 Vの過負荷 350 Vの動作電圧 少量生産、開発、R&D部門に理想的
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥669
税込¥736
当日出荷
耐久性に優れた20Wタイプのセメント抵抗です。
寸法(mm)13×13×64
35 Micron 銅ホイルが非導電性熱硬化性溶剤ベースのアクリル系粘着剤でコーティングされています。このアクリル接着剤は、取り外し可能なシリコン剥離ライナーに収められています。非導電性アクリル系粘着剤 優れた高温及び低温への耐性 はんだ付けが簡単 ほどきやすい
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様抵抗 = 1Ω定格電力 = 20Wシリーズ = SQ許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線終端スタイル = タブ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +250℃最小温度係数 = -300ppm/℃最大温度係数 = +300ppm/℃温度係数 = ±300ppm/℃SQBシリーズ20 → 40 W. 無機シリカフィラーを使用したセラミックケースに一体化されたセラミックコアの巻線 高い絶縁抵抗、低い温度係数、及び耐火構造の抵抗器を実現 直径4 mmの穴を備えた取り付けブラケットを実装済み
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,398
税込¥2,638
当日出荷
仕様●メモリサイズ : 256MB●SDRAMクラス : SDR●データレート : 167MHz●データバス幅 : 16bit●アドレスバス幅 : 15bit●1ワード当たりのビット数 : 16bit●最大ランダムアクセス時間 : 6ns●ワード数 : 16M●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 54●寸法 : 22.22×10.16×1.2mm●高さ : 1.2mm●長さ : 22.22mm●動作温度 Max : +70 ℃mm●Micron Technology DRAM
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥769
税込¥846
翌々日出荷
仕様抵抗 = 10Ω定格電力 = 20Wシリーズ = SQパッケージ/ケース = 成形許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線終端スタイル = ラジアル最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +250℃最小温度係数 = -300ppm/℃最大温度係数 = +300ppm/℃温度係数 = ±300ppm/℃SQBシリーズ20 → 40 W. 無機シリカフィラーを使用したセラミックケースに一体化されたセラミックコアの巻線 高い絶縁抵抗、低い温度係数、及び耐火構造の抵抗器を実現 直径4 mmの穴を備えた取り付けブラケットを実装済み
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,998
税込¥2,198
当日出荷
種別EP(ソケット・抵抗・その他)
1個
¥299
税込¥329
欠品中
180°無段階アングル。最大光束1600ルーメン。超硬アルミ合金ボディで衝撃にも強くて丈夫!。弾力性・やわらかい質感の滑り止め付きヘッドバンド。Samsung社製LED。LED寿命約50000時間。180°無段階アングル。最大光束1600ルーメン。IP65で、防塵・防水性に優れています。USBタイプC。
用途アウトドア・防災・ワーキングなどに。
仕様輝度/点灯時間(ルーメン/時):〈スポットライト〉(最大モード)1000/2.5(高モード)500/3(中モード)250/6(低モード)50/30(レッドライト)5/40、〈ワイドライト〉(最大モード)800/2.5(高モード)400/3(中モード)200/6(低モード)50/33(レッドライト)5/40
材質本体/アルミニウム アルマイト加工、ホルダー/ABS樹脂
寸法(mm)約76×42×41
質量(g)約59(バッテリー除く)
使用温度範囲(℃)-20~50
電圧(V)4.2
出力標準USB充電器:5V、1A
バッテリー18650 Li-ion、2600mAh、3.6V充電式バッテリー
防塵防水性能IP65
落下距離(m)(試験)1
最大光度(cd)2800
電源タイプ充電式
照射距離(m)最大105
電球の種類LED
1個
¥8,998
税込¥9,898
当日出荷
産業用に作られた高品質のmicroSDカードです。動画を記録後、ネットワークを通じた集中録画施設の変わりにカメラに保存するエッジストレージとして使用できます。IPビデオ監視カメラに特化して設計された事により、録画の冗長性、ネットワーク負荷の削減の最適化、そして全体的なTCOの低減がもたされ、システムパフォーマンスを強化できます。
用途ドライブレコーダー、産業機器
その他(最大速度)【読み】100MB/s【書き】45MB/s
使用温度範囲(℃)-25~85
記憶容量(GB)64
RoHS指令(10物質対応)対応
SDスピードクラスUHSスピードクラス
NandタイプMicron 3D TLC NAND Flash
1個
¥4,198
税込¥4,618
当日出荷
コーティング紙仕様なので水性塗料にも最適なナイロン糸製ミニストレーナー
メッシュ貼付部分も、水性塗料に対応する糊を使用。
メッシュの隙間が均一に揃っているので異物が素通りしない。
腰のある上質紙を使用しているので2回目以降も使いやすい。
水性塗料対応コーティング紙仕様
用途細目~中目のメタリック、パール用・粘度の低いソリッド用・クリアー用
材質メッシュ部分=ナイロン糸製
寸法(Φ×mm)115×80
危険物の類別非危険物
1箱(100枚)
¥1,298
税込¥1,428
当日出荷
ひと目で状況把握!
用途機械、設備の温度管理。 ブスバー。パイプライン。ベアリング。
仕様可逆性
寸法(幅W×高さH)(mm)48×52
表示1点表示
精度(℃)±1
変色温度(℃)50以下(緑)、50~70(黄)、70以上(赤)
RoHS指令(10物質対応)対応
1ケース(10枚)
¥3,298
税込¥3,628
当日出荷
パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.0 A RDS ( ON ) = 50 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 4.5 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ: MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル>: 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
¥169,800
税込¥186,780
7日以内出荷
パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2 x 2 x 0.72mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 30 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.7 A RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 5.0 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル: 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
¥139,800
税込¥153,780
7日以内出荷
180°無段階アングル。超硬アルミ合金ボディで衝撃にも強くて丈夫!。180°回転。弾力性・やわらかい質感の滑り止め付きヘッドバンド。14500Li-ion3.7 V 750mAh充電池内蔵。単3電池×1本(別売)でも使用可能。Samsung社製LED。LED寿命約50
000時間。IP67で、防塵・防水性に優れています。
用途アウトドア、防災、ワーキングなどに。
仕様輝度/点灯時間(ルーメン/時):〈スポットライト〉(高モード)500/2(中モード)250/3.5(低モード)50/10〈レッドライト〉(高モード)50/3.5(低モード)20/10
材質本体/アルミニウム アルマイト加工
寸法(mm)約65×37×35
質量(g)約40.5(バッテリー除く)
使用温度範囲(℃)-20~50
電圧(V)(範囲)1.2~4.2
出力標準USB充電器:5V、1A
防塵防水性能IP67
落下距離(m)(試験)2
最大光度(cd)2000
電源タイプ充電式
照射距離(m)最大89
電球の種類LED
1個
¥7,498
税込¥8,248
3日以内出荷
Micron 5400 PRO 480GB SATA 2.5”(7mm)Non-SED SSD[Single Pack]。
容量(GB)480
1個
¥27,980
税込¥30,778
翌々日出荷
Micron 5400 MAX 480GB SATA 2.5”(7mm)Non-SED SSD[Single Pack]。
容量(GB)480
1個
¥33,980
税込¥37,378
9日以内出荷
仕様抵抗 = 33Ω定格電力 = 30Wシリーズ = SQ許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線終端スタイル = タブ最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +250℃最小温度係数 = -300ppm/℃最大温度係数 = +300ppm/℃温度係数 = ±300ppm/℃SQBシリーズ20 → 40 W. 無機シリカフィラーを使用したセラミックケースに一体化されたセラミックコアの巻線 高い絶縁抵抗、低い温度係数、及び耐火構造の抵抗器を実現 直径4 mmの穴を備えた取り付けブラケットを実装済み
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
特価
¥2,498
税込¥2,748
当日出荷
Wurth Elektronik microSD カードコネクタプッシュ / プッシュ 8 ピンは、プッシュ / プッシュタイプです。動作電圧は 30 V ( AC )です。 耐電圧が 500 V ( AC )であるのに対して、100 V ( AC )です。接触抵抗範囲は 100 mO → 500 MO です。コンタクト材質は銅合金で
仕様●カードタイプ:MicroSD●オス/メス:ソケット●極数:8●行数:1●ピッチ:1.1mm●接続方向:横型●結線方法:はんだ●シリーズ番号:WR-CRD (外径)●コード番号:201-8977
アズワン品番65-7749-86
1袋(5個)
¥4,298
税込¥4,728
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 100 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 312 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥349,800
税込¥384,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 55 V。シリーズ STripFET F3。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 6.6mm。高さ 2.4mm。NチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥569,800
税込¥626,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 120 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 300 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥13,980
税込¥15,378
7日以内出荷
電源スイッチの種類 = ソリッドステートリレー。オン抵抗 = 0.4Ω。動作供給電圧 Max = 45 V。最大動作電流 = 0.7A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 10。動作温度 Max = +150 ℃。寸法 = 9.5 x 7.6 x 3.65mm。インテリジェントハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. インテリジェント電源スイッチ(IPS)には、ロジックインターフェイス、ドライバ、制御セクションの診断 / 保護機能、ハイサイド構成用のパワーステージが集積されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,098
税込¥1,208
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥26,980
税込¥29,678
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V。幅 4.6mm。高さ 15.75mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥11,980
税込¥13,178
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 30 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥549
税込¥604
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 800 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 40 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。トランジスタ素材 Simm。高さ 9.3mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,798
税込¥1,978
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。高さ 9.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥7,298
税込¥8,028
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 900 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 140 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 9.35mm。動作温度 Min -55 ℃mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥239,800
税込¥263,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 270 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 190 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 5.15mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
1セット(30個)
¥12,980
税込¥14,278
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 150 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。長さ 15.75mm。高さ 20.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥15,980
税込¥17,578
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 9.35mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥939
税込¥1,033
7日以内出荷
。Honeywell Micro Switch - SMシリーズサブミニチュアスイッチ。Honeywellのサブミニチュアスイッチシリーズは、シンプルな高精度のオン / オフ用途向けに設計されています。 このマイクロスイッチは、高精度の動作、十分な静電容量、及び長寿命を実現した小型軽量の製品です。基本スタイル及びステンレススチールアクチュエータ付きを用意 アクチュエータは固定用部品を未装着の状態で供給 ローラーアクチュエータは、オイル含浸りん青銅ローラーを装備 フェノールボディにはSPDT銀めっきワイピングコンタクトを装備 コンタクト定格: 5 A(抵抗)、3 A(誘導)、250 V ac 動作温度範囲: -55 → +120℃
仕様●アクチュエータタイプ:ローラレバー●末端様式:はんだ●コンタクト定格電流:5 A @ 250 V ac●接点構成:SP-CO●操作力:0.39 N●動作温度 Min:-54℃●動作温度 Max:+121℃●コンタクト材質:銀●ケースの材質:フェノール●機械的寿命:1000000Operations●リリース力:0.07N●動作温度範囲:-54 → +121℃●コード番号:820-7439
アズワン品番65-7844-04
1個
¥2,998
税込¥3,298
7日以内出荷
。Honeywell Micro Switch - SMシリーズサブミニチュアスイッチ。Honeywellのサブミニチュアスイッチシリーズは、シンプルな高精度のオン / オフ用途向けに設計されています。 このマイクロスイッチは、高精度の動作、十分な静電容量、及び長寿命を実現した小型軽量の製品です。基本スタイル及びステンレススチールアクチュエータ付きを用意 アクチュエータは固定用部品を未装着の状態で供給 ローラーアクチュエータは、オイル含浸りん青銅ローラーを装備 フェノールボディにはSPDT銀めっきワイピングコンタクトを装備 コンタクト定格: 5 A(抵抗)、3 A(誘導)、250 V ac 動作温度範囲: -55 → +120℃
仕様●アクチュエータタイプ:プランジ ャーピン●末端様式:はんだ●コンタクト定格電流:7 A @ 250 V ac●接点構成:SP-CO●操作力:1.39 N●動作温度 Min:-54℃●動作温度 Max:+121℃●コンタクト材質:銀●ケースの材質:フェノール●機械的寿命:10000000Operations●リリース力:0.28N●動作温度範囲:-54 → +121℃●コード番号:820-7410
アズワン品番65-7844-10
1個
¥2,898
税込¥3,188
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W, 900 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 2mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,298
税込¥1,428
5日以内出荷
Wurth Elektronik microSD カードコネクタプッシュ / プッシュ 8 ピンは、プッシュ / プッシュタイプです。動作電圧は 30 V ( AC )です。 耐電圧が 500 V ( AC )であるのに対して、100 V ( AC )です。接触抵抗範囲は 100 mO → 500 MO です。コンタクト材質は銅合金で、コンタクト部分は 1 u となっています コンタクトめっきには金めっきを、コンタクトタイプには刻印があります。絶縁材: LCP 絶縁体難燃性等級: UL94 V-0 コンタクト材質:銅合金 RoHS対応(2022年10月現在) 動作温度 :-25 → +85 ℃ -40 → +85 ℃
仕様●カードタイプ:MicroSD●オス/メス:ソケット●極数:8●行数:1●ピッチ:0.9mm●接続方向:横型●結線方法:はんだ●シリーズ番号:WR-CRD (外径)●コード番号:201-9071
アズワン品番65-7751-81
1袋(5個)
¥3,698
税込¥4,068
7日以内出荷
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