仕様NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
¥19,980
税込¥21,978
5日以内出荷
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
¥68,980
税込¥75,878
5日以内出荷
仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様MOSFET・モスフェット
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,198
税込¥1,318
5日以内出荷
仕様MOSFET / IGBTドライバ、ハイサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥3,340
税込¥3,674
5日以内出荷
MOSFET・モスフェット
RoHS指令(10物質対応)対応
豊富な商品ラインナップ(SSOP、SOP4pin、DIP6pin)
動作時間:Typ.0.4msの高速スイッチング(APV1121S)
耐電圧:5,000Vrmsの高絶縁(APV1122)
用途MOSFET駆動、電子回路の電源(Vcc)供給部
規格UL/C-UL
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
¥59,700
税込¥65,670
5日以内出荷
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:60 A、最大ドレイン-ソース間電圧:1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:4V、最低ゲートしきい値電圧:2V、最大ゲート-ソース間電圧:-5 V, +20 V、パッケージタイプ:TO-247、実装タイプ:スルーホール、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:330 W、標準ターンオフ遅延時間:26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。 これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。 ; 強化モードNチャンネルSiC技術 ; 高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ; 複数のデバイスを簡単に接続して駆動 ; 高速スイッチング、低いオン状態抵抗 ; 抗ラッチアップ動作
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥199,800
税込¥219,780
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(2500個)
¥629,800
税込¥692,780
5日以内出荷
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