「mw75」の検索結果

シリーズ = TFPT。温度係数のタイプ = リニアPTC。熱係数 = 0.41%/℃。抵抗@ 25℃ = 1kΩ。許容差 = ±1%。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。最大定格電力 = 75mW。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.85mm。高さ = 0.45mm。寸法 = 1.6 x 0.85 x 0.45mm。0603 TFPTシリーズリニアPTC. Vishayの高安定性薄膜リニアPTCサーミスタ製品で、コンパクトなSMTパッケージに収容されています。このデバイスは、アルミナ基材にニッケルベースのPTC薄膜抵抗素子を備え、広い温度範囲で高い安定性と再現性を発揮します。. 温度係数: +0.41 %/°K @ 25 ℃ 動作温度範囲: -55 → +150 ℃ 5 %又は高精度の1 %のタイプを用意 コンパクトな0603サイズSMTパッケージ cUL認定コンポーネント: 認定番号E148885 RoHS指令2002/95/ECに準拠 IEC61249-2-21規定に準拠したハロゲンフリー

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = 0.07%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 170Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-80。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。動作温度 Max = +175 ℃%/K。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.8mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

標準ツェナー電圧 = 3.11V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100 Ω @ 5 mA， 1000 Ω @ 0.5 mA。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm。動作温度 Min = -65 ℃mA。このツェナーダイオード電圧レギュレータは、 SOD323 表面実装パッケージに収められ、消費電力が 300 mW です。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です標準ツェナー降伏電圧範囲： 2.4 → 75 V 定格安定状態： 200 mW 機械的特性： 厳密な公差 はんだ付け目的での最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 用途 厳密な許容差のツェナー電圧調整

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 70Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 22mV/K。このシリーズのツェナーダイオードは、便利な表面実装プラスチック SOT-23 パッケージで提供されています。これらのデバイスは、最小スペース要件で電圧調整を行うように設計されています。携帯電話、ハンドヘルドポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。FR-4 または FR-5 ボードの定格出力 257mW ツェナー故障電圧範囲 - 2.4V ～ 75V 最適な自動基板アセンブリ用に設計されたパッケージです 高密度アプリケーション用の小型パッケージサイズ 人体>モデルごとのクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格 機械的な特性

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = 1mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 700nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 6.2mV/K。このシリーズのツェナーダイオードは、便利な表面実装プラスチック SOT-23 パッケージで提供されています。これらのデバイスは、最小スペース要件で電圧調整を行うように設計されています。携帯電話、ハンドヘルドポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。FR-4 または FR-5 ボードの定格は 267mW です ツェナー故障電圧範囲 - 2.4V ～ 75V 最適な自動基板アセンブリ用に設計されたパッケージです 高密度アプリケーション用の小型パッケージサイズ 人体>モデルごとのクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格 機械的な特性

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 200 Ω @ 1 mA， 40 Ω @ 5 mA。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。自動車規格 = AEC-Q101mA。このツェナーダイオード電圧レギュレータは、 SOD-523 表面実装パッケージに収められています。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。標準ツェナー降伏電圧範囲： 2.4 → 75 V 定格安定状態： 500 mW 小型ボディ外形寸法： 0.047 インチ x 0.032 インチ( 1.20 mm x 0.80 mm ) 低いボディ高： 0.028 インチ( 0.7 mm ) クラス 3 (> 16 kV )人体モデルの ESD 定格 エポキシは UL94 、 VO に適合 極性バンドでカソードを表示 リード仕上げ： 100 % つや消しスズ 認定最大リフロー温度： 260C デバイスは MSL 1 の要件に適合します 鉛フリーパッケージを用意 用途 携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなど、スペースが限られている用途に適しています。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 212Ω。最大逆漏れ電流 = 45nA。寸法 = 1.7 x 1.3 x 1mm。動作温度 Min = -65 ℃V。MM3Z18VB ： 18.0 V 、 200 mW 2 % ツェナー、 SOD323F広いツェナー電圧範囲選択範囲： 2.4 → 75 V ± 2 % の VZ 許容差選択( B シリーズ) 超小型で薄型の SMD パッケージ つや消しスズ( Sn )仕上げ、鉛フリー

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.9mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 160 Ω @ 1 mA， 20 Ω @ 5 mA。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。自動車規格 = AEC-Q101mA。このツェナーダイオード電圧レギュレータは、 SOD-523 表面実装パッケージに収められています。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。標準ツェナー降伏電圧範囲： 2.4 → 75 V 定格安定状態： 500 mW 小型ボディ外形寸法： 0.047 インチ x 0.032 インチ( 1.20 mm x 0.80 mm ) 低いボディ高： 0.028 インチ( 0.7 mm ) クラス 3 (> 16 kV )人体モデルの ESD 定格 エポキシは UL94 、 VO に適合 極性バンドでカソードを表示 リード仕上げ： 100 % つや消しスズ 認定最大リフロー温度： 260C デバイスは MSL 1 の要件に適合します 鉛フリーパッケージを用意 用途 携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなど、スペースが限られている用途に適しています。

レベルインジケータに最適。 低電流駆動が可能。 ON/OFFコントラストに優れている。 エンドスタック可能。 機械的強度が高い。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

サンダ-用・マジツク式荒目タイプ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 376Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.7 x 1.3 x 1mm。順方向電流 = 10mA。MM3Z5V6C ： 5.6 V 200 mW 5 % ツェナー、 SOD323F広いツェナー電圧範囲選択範囲： 2.4 → 75 V ± 5 % の VZ 許容差選択( C シリーズ) 超小型で薄型の SMD パッケージ つや消しスズ( Sn )仕上げ、鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

シリーズ = B57045K。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = 4.4%/℃。熱時定数 = 75s。抵抗@ 25℃ = 4.7kΩ。許容差 = ±10%。最大定格電力 = 450mW。奥行き = 8mm。高さ = 21mm。動作温度 Min = -55℃。Epcos K45シリーズNTCプローブアセンブリ. 用途: 温度補正、計測、シャーシ取り付け用 アルミハウジング、電気的に絶縁されたすずめっき銅製端子ワイヤ

シリーズ = B57045K。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = 4.7%/℃。熱時定数 = 75s。抵抗@ 25℃ = 47kΩ。許容差 = ±10%。最大定格電力 = 450mW。奥行き = 8mm。高さ = 21mm。動作温度 Min = -55℃。Epcos K45シリーズNTCプローブアセンブリ. 用途: 温度補正、計測、シャーシ取り付け用 アルミハウジング、電気的に絶縁されたすずめっき銅製端子ワイヤ