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飲食店のホールスタッフにおすすめの、撥水ユニフォームシリーズのベレー帽です。土壌や水質汚染の原因となる「フッ素」を使用せず、環境にやさしい撥水加工を施しています。塩素系漂白剤が付着しても変色しにくく、衛生管理にも配慮されています。6枚剥ぎ仕立てでふんわり立体的、後ろのアジャスターで簡単にサイズ調整が可能です。菊穴が通気性を確保、頭の蒸れを軽減します。選べる15色展開で、店舗の雰囲気や制服に合わせてコーディネートしていただけます。

幅広い用途に利用できるアルミ製構造材です。 AOKI ALUMI FRAMEは4つのバリエーションに分かれています。 各々のシステム毎に専用のナットやその他部品が用意されていて、同一システム内においては全てのフレームと部品が接続可能です。

人事考課オプションソフト。この製品単体では使用できません。人事大臣NX(STD・P2P)または人事大臣NX ERP(STD・P2P)と連動して使用するオプション製品です。導入していただくことで、コンピテンシー型の人事考課、賞与や昇給に向けた人事評価、自己評価入力用シートの印刷などが可能になります。

国産車メーカーに純正品採用されている国内メーカー製造の高品質商品です。 材質はノンアスベスト材で国産車に最も適したNAO材を使用しています。 ※但し注文コード：01080275のみ材質がNAO材ではなくロースチールになります。

シリンダー/サムターン

交換作業時間を大幅に短縮したセパレートタイプのドライブシャフトブーツ。シャフト、ベアリング等の脱着が不要で交換時間は約4分の1。

昭和16年創業の老舗メーカーによる純正相当商品です

産業機械用エアーエレメントです。

花粉・ほこりだけでなく、微小粒子(PM2.5)の除去にも効果を発揮します。菌・カビの繁殖・抗ウイルスを抑制。高い抗菌効果を発揮する抗菌剤を採用。フィルター表面に付着した菌、カビの繁殖を抑制。クリーンな空気を車内へ供給。イヤなにおいを強力脱臭。高性能活性炭を採用。排ガス、タバコ、カビ、ペットなどのイヤなにおいを吸着し、高い脱臭効果を発揮。花粉の侵入をブロック。帯電超極細不織布を採用。通気性を低下させることなく花粉、チリ、ホコリなどの粉塵をしっかりブロック。

分割方式を採用した事により、ブーツ交換時の足回り部品や等速ジョイント及びブーツ本体等の分解・組立が不要となり、作業時間の大幅な短縮を実現しました。材質は疲労性、耐候性の優れた樹脂を採用し接合は溶着方式により溶け合わせる事で一体型ブーツと同等の強度を確保しました。ブーツは、等速ジョイント内のベアリング部への水・異物の浸入と、潤滑用グリスの飛散を防止する商品であるが、車両の走行やハンドル転蛇により劣化または損傷しますので、定期的な点検と交換をお奨めいたします。

Huber ；amp；amp； Suhner TL-8A高屈曲テストケーブルアセンブリ. Huber ；amp； Suhnerの50 同軸ケーブルアセンブリ製品は、ネットワークアナライザで最大8 GHzのコンポーネントや機器をテストできるようになっています。TL-8A高屈曲テストケーブルは、二重遮蔽構造の発泡PEケーブルと青色のTPU外装被覆で構成されています。この特殊構造により、オイル、グリース、摩耗に対する優れた耐性を発揮し、苛酷な環境で高度な保護を実現します。電気的性能及び機械的耐性に優れたTL-8Aテストアセンブリは、研究所やテスト装置に最適です。さまざまな長さとコネクタ構成のタイプを取り揃えています。. 特長と利点. クイックロックナット付きNコネクタ 最大8 GHz 優れた挿入 / 反射損失 優れた機械的耐久性 高挿抜回数 ハロゲンフリー. 用途. テストラボ 業務

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 51 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 320000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。