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鋼板に光沢クロメートメッキを施した実用的な粘着式留金具です。日本工業規格(JIS Z 1541)の1種1号(S1-1)構造用接合テープに該当し、 低温での初期接着力や耐候性に優れています。

コンクリートへの軽量物の取付けに。作業の省力化を実現。下穴やアンカーが不要の作業性の高いピンです。コンクリート土間へのサドルバンドの取付けや間仕切りランナー、水切りなどの軽量物の取付けに最適です。

チューブを差し込み、ナットを締める圧縮リング式継手。 特殊工具や火気不要。 高圧から真空まで使用可能。 繰返し脱着可能。

鋼板に光沢クロメートメッキを施した実用的な粘着式留金具です。日本産業規格(JIS Z 1541)の1種1号(S1-1)構造用接合テープに該当し、低温での初期接着力や耐候性に優れています。

雨樋・薄鋼板止め等 板金施工全般に

チューブを差し込み、ナットを締める圧縮リング式継手。 特殊工具や火気不要。 高圧から真空まで使用可能。 繰返し脱着可能。

独自開発のアゾ色素により、優れた耐久性を実現 高品質プラスチック基板と高度な成形技術がエラー発生率を抑制 2P方式の製造方法により、安定した記録ができる 自社製造の国産スタンパーによる安心設計 対応インクジェットプリンタでレーベル印刷可能

フタロシアニン色素により安定した耐久性を実現 対応インクジェットプリンタでレーベル印刷可能

高品質プラスチック基板と高度な成形技術がエラー発生率を抑制 対応インクジェットプリンタでレーベル印刷可能

高品質プラスチック基板と高度な成形技術がエラー発生率を抑制 対応インクジェットプリンタでレーベル印刷可能

流体、気体、粉体など様々な流体に使用出来ます。 米国MIL規格A-A-59326-1998(MIL-C-27487-1992)に基づいて製作しており、他社製でも同一サイズであれば互換性を有します 。

流体、気体、粉体など様々な流体に使用出来ます。 米国MIL規格A-A-59326-1998(MIL-C-27487-1992)に基づいて製作しており、他社製でも同一サイズであれば互換性を有します 。

ベンチレーション付

【60日間保証】【耐衝撃】 衝撃を吸収・分散するハニカム構造のTPUと、高硬度10Hで傷に強いガラスのハイブリッドケース/側面全体がなめらかにラウンドした持ちやすいデザイン/レンズ周りを高く設計/ボタンまで保護/ストラップホール搭載(側面)/写真やステッカーを使ったアレンジも楽しめる背面クリア仕様/ショルダーストラップの取り付けに最適な「挟み込みシート」付属

【60日間保証】【耐衝撃】 MagSafeアクセサリが使えるマグネットリング搭載/背面に挟んだステッカーの邪魔になりにくい細いリング設計/衝撃を吸収するTPUと、硬く高透明なポリカーボネートのハイブリッドケース/側面全体がなめらかにラウンドした持ちやすいデザイン/レンズ周りを高く設計/ボタンまで保護/ストラップホール搭載(側面)/ショルダーストラップの取り付けに最適な「挟み込みシート」付属

カプラー内部に埃が付着するのを防ぐダストプラグ。、ステンレス(SCS14A)、アルミ、ブロンズを用意。、流体、気体、粉体など様々な流体に使用可能。、カプラに付いているレバーを操作することで簡単に着脱でき、工具など不必要。、内部のガスケットにより流体の洩れを防ぎ、ジョイントを持続。、石油、化学、製鉄、薬品、食品、船舶運輸など、さまざまな分野で使用可能。

【60日間保証】【耐衝撃】 衝撃を吸収・分散するTPUと、高硬度10Hで傷に強いガラスのハイブリッドケース/側面はマットなメタル塗装/側面全体がなめらかにラウンドした持ちやすいデザイン/レンズ周りを高く設計/ボタンまで保護/ストラップホール搭載(側面)/写真やステッカーを使ったアレンジも楽しめる背面クリア仕様/ショルダーストラップの取り付けに最適な「挟み込みシート」付属

ベンチレーション付

高精度高分解能のマイクロメータヘッドです。 スピンドルは直進式です。

簡単に早く管接続ができます。 パイプを突っ込んで締めるだけで施工完了です。 伸縮可とう機能があり外力を吸収できます。 取り外し、再施工が簡単にでき、補修材料にも適しています。

クロスの出隅をきれいに仕上げる。環境にもやさしい下地材。 省石油で、かつCO₂排出量削減効果の優れた環境配慮型素材ハイブリッド塩ビ『neo-V(ネオ・ブイ)』配合の製品です。

クロスの出隅をきれいに仕上げる。環境にもやさしい下地材。 省石油で、かつCO₂排出量削減効果の優れた環境配慮型素材ハイブリッド塩ビ『neo-V(ネオ・ブイ)』配合の製品です。

簡単に早く管接続ができます。 パイプを突っ込んで締めるだけで施工完了です。 伸縮可とう機能があり外力を吸収できます。 取り外し、再施工が簡単にでき、補修材料にも適しています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。