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TDKCGA車載用0402シリーズ、C0G誘電体.TDKのCGAシリーズ積層セラミックコンデンサ(MLCC)は、非常に高い信頼性を誇ります。精密テクノロジーを活用して、MLCCシリーズはセラミック誘電体の薄膜積層で構成され、大容量を実現しています。このMLCCは低ESRなので、自己発熱量が低く、高リプル耐性です。CGAセラミック誘電体積層はESLが低く、優れた周波数特性を発揮します。.特長と利点:.優れた耐熱性.機械的強度を向上.高い信頼性.成熟した製造過程による保証された性能.各種の誘電体を用意.高精度自動実装に対応.低浮遊容量.用途:.これらのMLCCはAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。主な用途は、車載用バッテリの平滑化、センサモジュール及びエンジン制御ユニットです。CAGシリーズセラミックコンデンサは、アンチロックブレーキ系統及び車載インフォテインメントに最適です。その他に、スマートメーター、スマートグリッド、ソーラーインバータ、AC-DCバッテリ充電器、輸送、農業での用途も推奨されます。

ネジ部がタッピング形状で、プラスチックケースのボスにそのまま取付け可能なスペーサーです。 M2.3、M2.6、M3用を揃えています。

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フィルターは水洗いで再利用可能です。 (ポリエステル製12mm厚、除塵率80%)

キット内容物 = セラミック。個数 = 15。実装タイプ = 表面実装。誘電体材料 = セラミック。最大静電容量 = 47pF。電圧範囲 = 250V。最大電圧 = 250V。静電容量範囲 = 2 pF → 47pF。最小静電容量 = 2pF。高周波VJシリーズMLCCコンデンサキット. セラミックチップ高周波SMTコンデンサキット 動作温度範囲: -55 ～ 125 ℃ 用途: ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及びセルラーベースのステーション

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 50V。パッケージタイプ = MicroMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2mm。寸法 = 1.2 (Dia.) x 2mm。直径 = 1.2mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOD-323。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm。自動車規格 = AEC-Q101mW。このスイッチングダイオードは、高速スイッチング用途向けに設計されています。鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

2線式の採用により、設置・配線・稼働コストの軽減が可能です。

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOD-923。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 0.85mm。幅 = 0.65mm。高さ = 0.43mm。寸法 = 0.85 x 0.65 x 0.43mm。パワー消費 = 710mW。BAS16P2T5G スイッチング・ダイオードは、メーカーの代表的な 3 リード SOT-23 デバイスのスピン・オフです。アプリケーションの切り替え用に設計されており、 SOD-923 表面実装パッケージに収納されています。このデバイスは、基板スペースが限られている低消費電力の表面実装用途に最適です。超小型 SOD-923 パッケージ スペースに制約のあるボードに取り付けられます 用途 高速スイッチングアプリケーション 最終製品 ワイヤレスハンドセット

標準周波数 = 32.768kHz。実装タイプ = 表面実装。負荷キャパシタンス = 9pF。パッケージタイプ = SMD。ピン数 = 2。長さ = 2mm。幅 = 1.2mm。高さ = 0.6mm。寸法 = 2 x 1.2 x 0.6mm。周波数許容性 = ±10ppm。シリーズ抵抗 = 90kΩ。動作温度 Min = -40℃

バリスタ電圧 = 24.3 → 29.7V。最大AC定格電圧 = 17V。最大直流定格電圧 = 22V。制限電圧 = 46V。クランプ電流 = 1A。エネルギー = 0.3J。シリーズ = CT/B。最大サージ電流 = 120A。静電容量 = 400pF。長さ = 2mm。奥行き = 1.25mm。寸法 = 2 x 1.25 x 1.4mm。CTシリーズ. 表面実装チップバリスタ. ニッケルバリア終端

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 150pF。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

標準周波数 32.768kHz。実装タイプ 表面実装。負荷キャパシタンス 4.1pF。パッケージタイプ SMD。ピン数 2。長さ 2mm。幅 1.2mm。高さ 0.6mm。寸法 2 1.2 0.6mm。周波数許容性 ±20ppm。周波数偏差 ±250ppm。シリーズ抵抗 80kΩ。動作温度 Max 85℃。ABRACONのABS06-107-32.768 kHz-T音叉型水晶は、最小限のめっき負荷(4 pF)と超低ESRが要求される電力重視の設計に最適化されています。このデバイスは、最大80 kΩのESRが保証され、卓越した低消費電力が要求される超低電力リアルタイムクロックソリューションに最適です。セラミックパッケージで熱や環境に対する優れた耐性を実現 産業用途向けに使用温度範囲を拡大: -40 +85 厚さ最大0.6 mmで高密度基板に最適 幅広い通信及び測定機器 商業及び産業温度 ワイヤレス通信

論理回路 = HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 6 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。自動車規格 = AEC-Q100

論理回路 = VHC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 8mA。高レベル出力電流 Max = -8mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

標準周波数 = 32.768kHz。実装タイプ = 表面実装。負荷キャパシタンス = 12.5pF。パッケージタイプ = SMD。ピン数 = 2。長さ = 2mm。幅 = 1.2mm。高さ = 0.6mm。寸法 = 2 x 1.2 x 0.6mm。周波数許容性 = ±20ppm。シリーズ抵抗 = 90kΩ。動作温度 Max = 85℃。最大ESR 60 kΩを保証する低電力設計 厚さ0.9 mmで高密度基板に最適 シームの密封されたセラミックパッケージで熱や環境に対する優れた耐性を実現 産業用途向けに使用温度範囲を拡大: -40 → +85 ℃ ST-MicroのMCU STM32Lベースのソリューションなど、低ESR水晶を必要とする電力重視設計 通信及び測定機器 商業、コンシューマ、及び産業用途 ワイヤレス通信 PDA及びスマートフォン

標準周波数 = 32.768kHz。実装タイプ = 表面実装。負荷キャパシタンス = 12.5pF。パッケージタイプ = SMD。ピン数 = 2。長さ = 2mm。幅 = 1.2mm。高さ = 0.6mm。寸法 = 2 x 1.2 x 0.6mm。周波数許容性 = ±10ppm。シリーズ抵抗 = 90kΩ。動作温度 Min = -40℃。最大ESR 60 kΩを保証する低電力設計 厚さ0.9 mmで高密度基板に最適 シームの密封されたセラミックパッケージで熱や環境に対する優れた耐性を実現 産業用途向けに使用温度範囲を拡大: -40 → +85 ℃ ST-MicroのMCU STM32Lベースのソリューションなど、低ESR水晶を必要とする電力重視設計 通信及び測定機器 商業、コンシューマ、及び産業用途 ワイヤレス通信 PDA及びスマートフォン

標準周波数 = 32.768kHz。実装タイプ = 表面実装。負荷キャパシタンス = 9pF。パッケージタイプ = SMD。ピン数 = 2。長さ = 2mm。幅 = 1.2mm。高さ = 0.6mm。寸法 = 2 x 1.2 x 0.6mm。周波数許容性 = ±20ppm。シリーズ抵抗 = 90kΩ。動作温度 Max = 85℃。最大ESR 60 kΩを保証する低電力設計 厚さ0.9 mmで高密度基板に最適 シームの密封されたセラミックパッケージで熱や環境に対する優れた耐性を実現 産業用途向けに使用温度範囲を拡大: -40 → +85 ℃ ST-MicroのMCU STM32Lベースのソリューションなど、低ESR水晶を必要とする電力重視設計 通信及び測定機器 商業、コンシューマ、及び産業用途 ワイヤレス通信 PDA及びスマートフォン