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日本メーカー監修の高品質なオイルフィルターです。

マグネットを内蔵することで従来品と比較して鉄粉除去力がアップしています。オイル内に含まれる鉄粉はエンジンを傷つけてしまう場合があります。オイルがフィルターを通過する際に、磁石で鉄粉を取り除くことで大切なエンジンを保護します。

O2センサーとは、ECUにガソリン量を決定させる為、排気中の酸素の量を測定する部品です。故障での交換以外でも、排ガス規制対策、環境対策、燃費・エンジン出力・走行性能を向上させます。

コンパクトな”pHAT”サイズ コンパクトなRaspberry Pi Zero にぴったりの”pHAT”サイズでラズパイZeroと重ねて使用可能! 様々な気体を検知する臭気センサTP-401Aを搭載 低電力で動作可能な高感度の臭気センサを搭載。 アンモニア、水素、アルコール、一酸化炭素、メタンなど揮発性気体、タバコ、木材燃焼発生した煙など様々な気体に対応。 連続通電を許容する為、ラズパイゼロの小型な形状も相まって様々な所で継続的なチェックが可能です。 換気扇の自動運用や検出表示など、既存ゼロワン製品との組み合わせで、IoTをより身近な物へ。 ※動作時にはセンサ部が非常に高温となる為、取り扱いには注意してください。 オプションとしてGroveコネクタ(アナログ)も搭載、更なるセンサの追加が可能。 動作状況が見えるLEDを装備 ステータスLEDにより駆動状況の確認が容易に、実験時やメンテナンス時に役立ちます。

A/FセンサーはO2センサーと同じ様に空燃比を判断するセンサーとなります。O2センサーがリッチ(濃い)、リーン(薄い)しか判断できない事に対し、A/Fセンサーは、どのくらい濃いか薄いかがリニアに判断できるセンサーとなり、より繊細な制御が可能です。O2センサーとA/Fセンサーの見た目はほぼ同じで、空燃比の検出という役割も同じです。ただ、その信号の情報や出力する電圧も違いますのでもちろん互換性はありません。

酸素センサーまたはオキシジェン(O2)センサーとしてしられている部品は、車の排気中の酸素の量を測定する部品です。車の排気中の酸素量からエンジン内部の爆発がどの様なものであるかを知ることができます。

A/FセンサーはO2センサーと同じ様に空燃比を判断するセンサーとなります。O2センサーがリッチ(濃い)、リーン(薄い)しか判断できない事に対し、A/Fセンサーは、どのくらい濃いか薄いかがリニアに判断できるセンサーとなり、より繊細な制御が可能です。O2センサーとA/Fセンサーの見た目はほぼ同じで、空燃比の検出という役割も同じです。ただ、その信号の情報や出力する電圧も違いますのでもちろん互換性はありません。

自動車用カートリッジエレメントです。

操作部・表示部と接触部が分離構造により、パネルへはΦ16丸穴取付で、プリント基板と直接ドッキングします。パネル(取付板)へは丸穴取付で、プリント基板とドッキング可能。・操作部・表示部と接触部が分離構造のため、保守が容易。また、プリント板上でのパターン配線となることにより、配線工数が低減でき、誤配線を防止することが可能。・押しボタンは、クリック感のあるストローク3mmを確保。・標準品でUL/CSA規格およびTUV(EN規格)を認定取得。CEマークを表示。お客様の用途に合わせコマンドスイッチシリーズ、フラットコマンドスイッチシリーズ、プリント板用ロータリースイッチなどとの組合せも可能。

カップ型なのでしっかり保持して使いやすい!

ポリプロピレンメルトブロー不織布を2重にし、ポリプロピレンスパンボンド不織布で挟み込んだ構造で、高いバリア効果と通気性に優れた防護服です。

三元触媒を最も有効に機能させる為には、空燃比を制御する必要があります。O2センサーは排出ガスに含まれる酸素濃度を検知し、ECUにフィードバックしています。

消音効果を高める弾性樹脂充填レーザースリット加工。耐久性に優れる超微粒タングステンカーバイド系超硬チップ採用。フッ素塗装で切り渋り防止。パーチクルボード等、硬質集積材や構造材も適合

ハードワークに最適の耐久性と収納力を備えています。引っ掛けに強い耐久性のある生地と、動きやすいノーフォークを採用。 撥水加工を施した丈夫でしなやかな生地。 ウエストシャーリング。

魅力の収納力 肌触りのいいピーチ素材に抗菌防臭・帯電防止加工、ヒジやヒザの動きをスムーズにするアクションタックを採用した高機能ウェアに配された、使い勝手のいいたくさんのポケットの存在がさらに機能性を高めてくれます。 肌触りに優れた丈夫な素材。 衿を立てての着用も可能な尾錠布付きです。 袖のヒジ部分にアクションタック付で動きがスムーズ。 右脇ポケット内部に便利なコインポケット付き。 袖ぐりの後ろにノーフォークを施して動きをスムーズに。 左胸ポケットには便利なペン差しが付いています。 右胸ポケットは二重構造で携帯電話を収納できる内ポケット付き。 イヤホンコードの誘導穴も付いています。 袖にはタバコやペンが収納できるポケットが付いています。

ハードワークに最適の耐久性と収納力を備えています。引っ掛けに強い耐久性のある生地と、動きやすいノーフォークを採用。 撥水加工を施した丈夫でしなやかな生地。 フード後ろマジックテープアジャスター。 ノーフォーク。 左袖ペン差しタバコ収納。 携帯電話収納。 袖口はマジックテープで調節可能。 脇ポケット。 ヘルメット対応(フード取り外し可能) ウエストフラップポケット。 内ポケット。

ハードワークに最適の耐久性と収納力を備えています。引っ掛けに強い耐久性のある生地と、動きやすいノーフォークを採用。 撥水加工を施した丈夫でしなやかな生地。 フード後ろマジックテープアジャスター。 ノーフォーク。 左袖ペン差しタバコ収納。 携帯電話収納。 袖口はマジックテープで調節可能。 ヘルメット対応(フード取り外し可能) 内ポケット。

魅力の収納力 肌触りのいいピーチ素材に抗菌防臭・帯電防止加工、ヒジやヒザの動きをスムーズにするアクションタックを採用した高機能ウェアに配された、使い勝手のいいたくさんのポケットの存在がさらに機能性を高めてくれます。 肌触りに優れた丈夫な素材。 ヒザ部分はアクションダーツで曲げ伸ばしがスムーズです。

魅力の収納力 肌触りのいいピーチ素材に抗菌防臭・帯電防止加工、ヒジやヒザの動きをスムーズにするアクションタックを採用した高機能ウェアに配された、使い勝手のいいたくさんのポケットの存在がさらに機能性を高めてくれます。 肌触りに優れた丈夫な素材。 ヒザ部分はアクションダーツで曲げ伸ばしがスムーズです。 左ラットポケットはファスナーポケット付きの二重構造。 小ポケットには携帯電話がすっぽり収納できます。

高速USB PCI Express拡張カード：最大合計40Gbpsの帯域に対応するUSB-Aポートを4基搭載。デスクトップPCやサーバーのUSB接続を拡張するアップグレードソリューション。 データ量の多い業務処理、外付けストレージの活用、高速USBネットワークアダプターの接続など、高帯域を必要とする用途に対応。独立コントローラーによる最大スループット: 各USB 3.2 Gen 2ポートは独立したコントローラーを採用し、ポートあたり最大10Gbpsに対応するUSBポート増設用カード。複数のデバイスを同時に接続した場合でも安定したパフォーマンス。幅広い互換性を考慮した設計：Windows、macOS、Linuxシステムに対応するPCIe拡張 カード。PCI Express 3.0 x4(またはそれ以上)。標準プロファイルブラケットを装着した状態で出荷。補助SATA電源による安定した電力供給：マザーボードからの電力供給が不足する場合に備え、SATA電源入力を搭載したUSB増設インターフェース カード。各ポートあたり最大5V 2A(10W)の電力供給に対応し、バスパワー駆動のUSBデバイスや周辺機器の接続環境を整備

JISZO701に適合したシリカゲルを使用。 食品や医療品の乾燥保管などに幅広く使用されています。包装用乾燥剤として唯一、日本工業規格(JIS)に認定されたものです。 純度の高い(99%以上)二酸化ケイ素からなります。二酸化ケイ素は化学的安定で毒性はありません。体内で消化吸収されないので、間違って食べても中毒を起こす心配はありません。 スタンダードタイプ(フィルム包装)。缶入りのためユーザーでの保管が便利です。 吸湿能力が低下すると、青色の粒が赤系に変色します。

この製品はタイベック(R)を生地に使用し、ISOクラス5のクリーンルーム及び無菌保証レベルSAL10-6に対応した続服です。商品の主な使用用途：製薬・医療機器製造等使用上の注意事項：耐熱性、防炎性はありません。

ゾンテ先端部に溝があり、糸を結ぶことが可能です。穴ありゾンテと同様に使用できます。

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.7mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 129A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 9.1 x 9.1 x 9.1mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 69.4V。最小ブレークダウン電圧 = 47.8V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 43V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 72A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。直径 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 25.2V。最小ブレークダウン電圧 = 17.1V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = 1.5KE。最大逆スタンドオフ電圧 = 15.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 59.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 5.3mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 207V。最小ブレークダウン電圧 = 143V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = 1.5KE。最大逆スタンドオフ電圧 = 128V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 7.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 5.3mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル双方向1500 W、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 328V。最小ブレークダウン電圧 = 209V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = 1.5KE。最大逆スタンドオフ電圧 = 185V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 4.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 5.3mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 45.4V。最小ブレークダウン電圧 = 31.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 28V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 33A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 163A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 209V。最小ブレークダウン電圧 = 144V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 130V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 7.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.45V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = 1.5KE。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 143A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 5.3mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.3V。最小ブレークダウン電圧 = 34.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 62A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 274V。最小ブレークダウン電圧 = 190V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 171V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 2.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、P6SMBシリーズ、Vishay Semiconductor