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定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.3mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 15.87mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

International Rectifier の Infineon 設計の HEXFET R パワー MOSFET は、Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。先進のプロセス技術 動的dv/dt定格 高速スイッチング 完全アバランシェ定格

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。シリーズ = MegaFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。長さ = 6.73mm。高さ = 2.39mm。MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 16A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 16A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 975mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 16A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 250A。超高速回復整流器(16 → 330 A)、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-220AB。繰返しピーク逆方向電圧 = 400V。サージ電流レーティング = 250A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 30mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。最大保持電流 = 40mA。ピン数 = 3。寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。位相制御サイリスタ、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 360A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 360A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-220AB。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 250A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 30mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。最大保持電流 = 40mA。ピン数 = 3。寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 800V。位相制御サイリスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -16 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 V。パッケージタイプ = TO-264。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 16 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -16 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -16 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 36 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

PIC16C63A/65B/73B/74B 8-Bit Microcontrollers. The PIC16C range of Microcontrollers from Microchip are 8-bit CMOS MCUs that incorporate Microchip ’s PICR architecture into variety of pin and package options， from space efficient 14-pin devices to feature-rich 64-pin devices. Now supplanted by Flash based variants these devices are still popular in legacy designs. For new applications PIC16F variants should be considered. The PIC16C63A/65B/73B/74B family of microcontrollers is based upon Microchip ’s mid-range architecture with an level hardware stack and 35 14-bit instructions. These MCUs provide up to MIPS， Kbytes program memory with data memory of 192 bytes RAM. On board is RC oscillator with ±1% accuracy. Features. 35 Instructions Level Hardware Stack 22 I/O Pins PIC16C63A/73B 33 I/O Pins PIC16C65B/74B Capture， Compare， PWM (CCP) Module Channel 8-bit Analogue-to-Digital Converter (ADC) PIC16C73B only Channel 8-bit Analogue-to-Digital Converter (ADC) PIC16C74B only Two 8-bit Timers One 16-bit Timer Synchronous Serial Port (SSP) with SPI and I2C Universal Synchronous Asynchronous Receiver Transmitter (USART/SCI) Parallel Slave Port PIC16C65B/74B only Watchdog Timer (WDT) Power-on Reset (POR) Power-up Timer (PWRT) Oscillator Start-up Timer (OST) Brown-out Reset (BOR) In-Circuit Serial Programming (ICSP)

ファミリー名 = STM32L0。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = ARM Cortex M0+。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 32 kB。最大周波数 = 32MHz。RAMサイズ = 8 kB。SPIチャンネル数 = 4。I2Cチャンネル数 = 2。幅 = 10mm。Ultra-low-power platform 1.65 V to 3.6 V power supply -40 to 125 ℃ temperature range 0.27 μA Standby mode (2 wakeup pins) 0.4 μA Stop mode (16 wakeup lines) 0.8 μA Stop mode + RTC + 8 KB RAM retention 88 μA/MHz in Run mode 3.5 μs wakeup time (from RAM) 5 μs wakeup time (from Flash memory) Core: ArmR 32-bit CortexR-M0+ with MPU From 32 kHz up to 32 MHz max. 0.95 DMIPS/MHz Memories Up to 64 KB Flash memory with ECC 8KB RAM 2 KB of data EEPROM with ECC 20-byte backup register Sector protection against R/W operation Up to 51 fast I/Os (45 I/Os 5V tolerant) Reset and supply management Ultra-safe， low-power BOR (brownout reset) with 5 selectable thresholds Ultra-low-power POR/PDR Programmable voltage detector (PVD) Clock sources 1 to 25 MHz crystal oscillator 32 kHz oscillator for RTC with calibration High speed internal 16 MHz factory-trimmed RC (+/- 1%) Internal low-power 37 kHz RC Internal multispeed low-power 65 kHz to 4.2 MHz RC PLL for CPU clock Pre-programmed bootloader USART， SPI supported Development support Serial wire debug supported Rich Analogue peripherals 12-bit ADC 1.14 Msps up to 16 channels (down to 1.65 V) 2x ultra-low-power comparators (window mode and wake up capability， down to 1.65 V) 7-channel DMA controller， supporting ADC， SPI， I2C， USART， Timers 7x peripheral communication interfaces 2x USART (IrDA)， 1x UART (low power) Up to 4x SPI 16 Mbits/s 2x I2C (SMBus/PMBus) 9x timers: 1x 16-bit with up to 4 channels， 2x 16-bit with up to 2 channels， 1x 16-bit ultra-low-power timer， 1x SysTick， 1x RTC， 1x 16-bit basic， and 2x watchdogs (independent/window) CRC calculation unit， 96-bit unique ID

Huber+Suhner アダプタ Betweenシリーズ