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PC から外付けメモリドライブへの読み取り / 書き込みツール SC-XMP2 モデル及び -XMP3 モデルで使用できます

高耐久の316L/EN1.4404ステンレススチール製です。耐圧サイクルテスト済みです。個々のコンポーネントに刻印しトレーサビリティを確保しています。互換性に配慮し工業規格に準拠した設計です。

高耐久の316L/EN1.4404ステンレススチール製です。JIC37°フレアチューブ接続用です(SAE J514及びISO 8434-2)。シール面積が小さいためコンパクトで丈夫な端部を実現し、フルードを高圧下でシールし保持します。個々のコンポーネントに刻印しトレーサビリティを確保しています。

LXアルコールチェッカー専用のマウスピースです。

連続使用向け頑丈設計 変速マイクロプロセッサ制御で安定したシェーキングが可能 速度および時間の見やすいLEDディスプレイ搭載(デジタル) チューブ混合用の”Touch”モード、マイクロプレート用アタッチメント使用した連続振動用の”On”モード搭載

手をぬらさずしっかり絞れる独自のツイスト機構(ポールを引っ張るだけの水絞り機能)。屋内でも屋外でも頑固な汚れをきれいにお掃除します。伸縮ポールでお風呂などのコンパクトな空間から天井などの高い箇所までラクラクお掃除可能(最長142cm)。ヘッド部分は180度回転するから家具の下にも届く。自立できる設計なので置き場所にも困りません。屋内用・屋外用2種類の専用パッド付き

分解不要、管を挿し込んで締めるだけで接続できます。管上スライド可能により補修や修繕工事に最適です。伸縮可とう機能があり外力を吸収できます。取り外し、再施工が簡単にでき、仮設配管にも適しています。インコア不要で接続できます。

PXM用ジョイント PXMJ専用のスパナです。

簡単に早く管接続ができます。 パイプを突っ込んで締めるだけで施工完了です。 伸縮可とう機能があり外力を吸収できます。 取り外し、再施工が簡単にでき、補修材料にも適しています。

やかんも電気ケトルも不要!電子レンジでお茶を作れる麦茶ポット。容量1リットル。むぎちゃんの使い方 1.レンジで少量の水を加熱する 2.ティーバッグを加える 3.水で希釈して、お好みで冷やせば完成。奥行11cm以上の冷蔵庫ドアポケットに収まるサイズ。広口で洗いやすい形状。食洗機にも対応。フィルター付きのフタなので、茶葉直入れもOK。ミルクティーやだし汁なども電子レンジで作ることが可能。耐熱ガラス「HARIO Glass」を使用。日本製。

定番のMPスタイルのPC製

足元のペダルを踏めばキャスター付き台車が本体を押し上げ移動出来ます。

2.5Gbps 802.3at/af準拠PoE+ポート×8搭載。10G SFP+スロット×2搭載。全PoEポートで合計160W、各PoEポートで最大30W給電可能。Web管理画面やOmadaアプリを使った集中型クラウド管理。スタンドアロン管理。静的ルーティング設定。ファンレス設計による静音動作。据え置き/壁掛けに対応。

組立不要、PD対応の電源機器使用可能で電源スペースのない場所でも使えます。PD対応電源機器があれば非常時、災害時にも使えて備えにもなります。Wタイマー【切】1/2/4h 【入】2/4/6h(3段階)、リズム風、おやすみモード、衣類乾燥運転、8時間オートOFF機能、上下左右自動首振り、表示部減光機能、DCモーター搭載。上下首振り角度調節3段階：30/60/90度。左右首振り角度調節3段階：40/70/100度

足元のペダルを踏めばキャスター付き台車が本体を押し上げ移動出来ます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 700 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm。高さ = 1mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.7mm。高さ = 1.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 10.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

両面6コーナー使い丸駒チップです。

連続振動用のOnモードとカップヘッド・ホルダーを押し込んで振動させるTouchモードの、2つのモードで使用できます。 回転数がマイクロプロセッサ制御され、デジタル設定やタイマー機能により、再現性が必要な実験に適しています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.8mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.8mm。高さ = 1.3mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.