Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， RN1101MFV(TPL3)
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージVESM
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50
最大エミッタ-ベース間電圧(V)10
抵抗比1kΩ
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
内容量1袋(50個)
ディスクリート の新着商品
カテゴリ
商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
「ディスクリート」にはこんなカテゴリがあります
シェアする
