Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, RN1101MFV(TPL3)

Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, RN1101MFV(TPL3) - 東芝
ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージVESM実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大エミッタ-ベース間電圧(V)10抵抗比1kΩトランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN内容量1袋(50個)
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