ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 120 mA， 3 ピン パッケージSOT-23

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 120 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 360 mW
高さ = 0.93mm
強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。