仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 1.5 W
高さ = 0.94mm
PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応