仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 400 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = TO-92
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 625 mW
長さ = 4.7mm
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応