内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:2.2 A 最大ドレイン-ソース間電圧:1000 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:6.8Ω 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:90 W 標準入力キャパシタンス @ Vds:601 pF @ 25 V NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、700 → 1200 V、STMicroelectronics
注文コード47183789
品番STD4NK100Z