内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:200 A最大ドレイン-ソース間電圧:40 V最大ドレイン-ソース間抵抗:1.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧:4V最低ゲートしきい値電圧:2V最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 Vパッケージタイプ:H2PAK実装タイプ:表面実装ピン数:8チャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:300 Wトランジスタ素材:SiNチャンネルSTripFET? DeepGate?、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET? MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47184044
品番STH320N4F6-6