STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1個 仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:28 A 最大ドレイン-ソース間電圧:710 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:110 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:5V 最低ゲートしきい値電圧:3V 最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V パッケージタイプ:TO-247 実装タイプ:スルーホール ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:190 W 標準ターンオフ遅延時間:59 ns NチャンネルMDmesh(TM) M5シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh M5パワーMOSFETは、高出力PFC及びPWMトポロジ向けに最適化されています。 シリコン区画あたりのオンステート損失の低さと低ゲート電荷が特長です。 太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。 注文コード47184629 品番STW34N65M5
6月22日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は1,198円となります。
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥1,099
販売価格(税別)
999
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仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:28 A
最大ドレイン-ソース間電圧:710 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:110 mΩ
最大ゲートしきい値電圧:5V
最低ゲートしきい値電圧:3V
最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V
パッケージタイプ:TO-247
実装タイプ:スルーホール
ピン数:3
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:190 W
標準ターンオフ遅延時間:59 ns
NチャンネルMDmesh(TM) M5シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh M5パワーMOSFETは、高出力PFC及びPWMトポロジ向けに最適化されています。 シリコン区画あたりのオンステート損失の低さと低ゲート電荷が特長です。 太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応

商品レビュー

平均満足度:
総レビュー件数: 1
毎月抽選で 1,000名様500円クーポンをプレゼント!
対象商品:
47185383
2021-06-12
用途:
バイクのイグナイタ強化に
サービス業

イグナイタのトランジスタ強化として購入しました。
取り付け後は低速時のトルク感が上がり乗りやすくなりました。
納期が1週間ほど掛かりましたのでもうちょっと早いと助かります。

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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