STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1セット(2500個) 仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:35 A 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:17 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:2.5V 最低ゲートしきい値電圧:1V 最大ゲート-ソース間電圧:-15 V, +15 V パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:80 W 標準ターンオフ遅延時間:40 ns NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 注文コード47185207 品番STD35NF06LT4
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥417,780
販売価格(税別)
379,800
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仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:35 A
最大ドレイン-ソース間電圧:60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:17 mΩ
最大ゲートしきい値電圧:2.5V
最低ゲートしきい値電圧:1V
最大ゲート-ソース間電圧:-15 V, +15 V
パッケージタイプ:DPAK (TO-252)
実装タイプ:表面実装
ピン数:3
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:80 W
標準ターンオフ遅延時間:40 ns
NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応

商品レビュー

平均満足度:
総レビュー件数: 1
毎月抽選で 1,000名様500円クーポンをプレゼント!
対象商品:
47185383
2021-06-12
用途:
バイクのイグナイタ強化に
サービス業

イグナイタのトランジスタ強化として購入しました。
取り付け後は低速時のトルク感が上がり乗りやすくなりました。
納期が1週間ほど掛かりましたのでもうちょっと早いと助かります。

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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