STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1個 仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:40 A最大ドレイン-ソース間電圧:600 V最大ドレイン-ソース間抵抗:79 mΩ最大ゲートしきい値電圧:5V最低ゲートしきい値電圧:3V最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 Vパッケージタイプ:TO-247実装タイプ:スルーホールトランジスタ構成:シングルチャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:300 W長さ:15.75mmNチャンネルMDmesh DM2シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh DM2 MOSFETは、RDS(on)が低く、ダイオード逆回復時間が短くなったため効率が高くなっています。このシリーズは、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジに合わせて最適化されています。. 優れたdV/dt機能でシステムの信頼性を向上 AEC-Q101認定 注文コード47185295 品番STW48N60DM2
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥1,428
販売価格(税別)
1,298
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仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:40 A
最大ドレイン-ソース間電圧:600 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:79 mΩ
最大ゲートしきい値電圧:5V
最低ゲートしきい値電圧:3V
最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V
パッケージタイプ:TO-247
実装タイプ:スルーホール
トランジスタ構成:シングル
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:300 W
長さ:15.75mm
NチャンネルMDmesh DM2シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh DM2 MOSFETは、RDS(on)が低く、ダイオード逆回復時間が短くなったため効率が高くなっています。このシリーズは、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジに合わせて最適化されています。. 優れたdV/dt機能でシステムの信頼性を向上 AEC-Q101認定
RoHS指令(10物質対応)対応

商品レビュー

平均満足度:
総レビュー件数: 1
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対象商品:
47185383
2021-06-12
用途:
バイクのイグナイタ強化に
サービス業

イグナイタのトランジスタ強化として購入しました。
取り付け後は低速時のトルク感が上がり乗りやすくなりました。
納期が1週間ほど掛かりましたのでもうちょっと早いと助かります。

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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