STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1個 仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:45 A最大ドレイン-ソース間電圧:1200 V最大ドレイン-ソース間抵抗:0.1 Ω最大ゲート-ソース間電圧:-10 V、+25 Vパッケージタイプ:Hip247実装タイプ:スルーホールピン数:3チャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:270 W1チップ当たりのエレメント数:1Nチャンネルシリコンカーバイド(SiC) MOSFET、STMicroelectronics. シリコンカーバイド(SiC) MOSFETは、優れたスイッチング性能を発揮するように組み合わせた定格1200 Vの非常に低い静的ドレイン-ソースオン抵抗を備え、効率的でコンパクトなシステムになっています。 注文コード47185469 品番SCT30N120
6月22日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は3,898円となります。
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥4,178
販売価格(税別)
3,798
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仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:45 A
最大ドレイン-ソース間電圧:1200 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:0.1 Ω
最大ゲート-ソース間電圧:-10 V、+25 V
パッケージタイプ:Hip247
実装タイプ:スルーホール
ピン数:3
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:270 W
1チップ当たりのエレメント数:1
Nチャンネルシリコンカーバイド(SiC) MOSFET、STMicroelectronics. シリコンカーバイド(SiC) MOSFETは、優れたスイッチング性能を発揮するように組み合わせた定格1200 Vの非常に低い静的ドレイン-ソースオン抵抗を備え、効率的でコンパクトなシステムになっています。
RoHS指令(10物質対応)対応

商品レビュー

平均満足度:
総レビュー件数: 1
毎月抽選で 1,000名様500円クーポンをプレゼント!
対象商品:
47185383
2021-06-12
用途:
バイクのイグナイタ強化に
サービス業

イグナイタのトランジスタ強化として購入しました。
取り付け後は低速時のトルク感が上がり乗りやすくなりました。
納期が1週間ほど掛かりましたのでもうちょっと早いと助かります。

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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