内容量1袋(2個)
仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:80 A最大ドレイン-ソース間電圧:55 V最大ドレイン-ソース間抵抗:7 mΩ最低ゲートしきい値電圧:1V最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 Vパッケージタイプ:D2PAK (TO-263)実装タイプ:表面実装トランジスタ構成:シングルチャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:300 W標準ターンオフ遅延時間:135 nsNチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47186598
品番STB80NF55L-06T4