STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(2個) 仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:80 A最大ドレイン-ソース間電圧:55 V最大ドレイン-ソース間抵抗:7 mΩ最低ゲートしきい値電圧:1V最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 Vパッケージタイプ:D2PAK (TO-263)実装タイプ:表面実装トランジスタ構成:シングルチャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:300 W標準ターンオフ遅延時間:135 nsNチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 注文コード47186598 品番STB80NF55L-06T4
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥1,318
販売価格(税別)
1,198
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仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:80 A
最大ドレイン-ソース間電圧:55 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:7 mΩ
最低ゲートしきい値電圧:1V
最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 V
パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
実装タイプ:表面実装
トランジスタ構成:シングル
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:300 W
標準ターンオフ遅延時間:135 ns
NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応

商品レビュー

平均満足度:
総レビュー件数: 1
毎月抽選で 1,000名様500円クーポンをプレゼント!
対象商品:
47185383
2021-06-12
用途:
バイクのイグナイタ強化に
サービス業

イグナイタのトランジスタ強化として購入しました。
取り付け後は低速時のトルク感が上がり乗りやすくなりました。
納期が1週間ほど掛かりましたのでもうちょっと早いと助かります。

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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