内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:80 A最大ドレイン-ソース間電圧:100 V最大ドレイン-ソース間抵抗:8 mΩ最大ゲートしきい値電圧:4V最低ゲートしきい値電圧:2V最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 Vパッケージタイプ:DPAK (TO-252)実装タイプ:表面実装ピン数:3チャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:120 W標準ターンオフ遅延時間:46 nsNチャンネルSTripFET(TM) H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47186695
品番STD100N10F7