仕様NチャンネルパワーMOSFET、40V、ONSemiconductor
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージWDFN
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)55
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)85
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)0.006
最大ゲートしきい値電圧(V)2
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20
カテゴリーパワーMOSFET