仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、NチャンネルパワーMOSFET、30V、ONSemiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)150
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)690
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.1
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)145
最大ゲートしきい値電圧(V)2.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20