仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、QFETRNチャンネルMOSFET、最大5.9A、FairchildSemiconductor.FairchildSemiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)100000
標準ターンオフ遅延時間(ns)38
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)4.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.5
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30・30
トランジスタ構成シングル