仕様UltraFETRMOSFET、FairchildSemiconductor.UItraFETRTrenchMOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途高周波DCDCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)2.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)7.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20
カテゴリーパワーMOSFET