仕様PowerTrenchRNチャンネルMOSFET、最大9.9A、FairchildSemiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)2500
標準ターンオフ遅延時間(ns)42
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)8.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET