仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、強化モードNチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK(TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)48
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10・10