仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、UltraFETRMOSFET、FairchildSemiconductor.UItraFETRTrenchMOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK(TO-252)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)49
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)18
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)75
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-16・16