内容量1リール(3000個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:1.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:250 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:540 mW●1チップ当たりのエレメント数:1●NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49244074
品番IRLML2803TRPBF