内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:100 A●最大ドレイン-ソース間電圧:150 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:7.7 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:300 W●トランジスタ素材:Si●Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOSFET、100 V以上
注文コード49244747
品番IPB072N15N3GATMA1