内容量1セット(50個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:104 A●最大ドレイン-ソース間電圧:55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:8 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 V●パッケージタイプ:TO-220AB●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:200 W●1チップ当たりのエレメント数:1●NチャンネルパワーMOSFET 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49245553
品番IRL2505PBF