内容量1セット(75個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:120 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:4 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.45V●最低ゲートしきい値電圧:1.55V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:DPAK (TO-252)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:89 W●シリーズ:HEXFET●NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49246463
品番IRLR3717PBF