内容量1リール(4000個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:123 A●最大ドレイン-ソース間電圧:40 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:3.3 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3.9V●最低ゲートしきい値電圧:2.6V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:PQFN●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:94 W●幅:5mm●NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49246576
品番AUIRFN8403TR