IPD78CN10NGATMA1 Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON 49246847

Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(2500個) 仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:13 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:78 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:DPAK (TO-252)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:31 W●1チップ当たりのエレメント数:1●Infineon OptiMOS?2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS?2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。 注文コード49246847 品番IPD78CN10NGATMA1
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仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:13 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:78 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:DPAK (TO-252)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:31 W●1チップ当たりのエレメント数:1●Infineon OptiMOS?2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS?2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
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https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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