内容量1袋(25個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:13 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:78 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:DPAK (TO-252)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:31 W●標準入力キャパシタンス @ Vds:538 pF @ 50 V●Infineon OptiMOS?2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS?2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
注文コード49246865
品番IPD78CN10NGATMA1