内容量1袋(20個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:13.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:12.5 mΩ●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●幅:4mm●NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49246978
品番IRF7821TRPBF