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Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1個 仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:150 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:55 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:4.9 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:4V 、 最低ゲートしきい値電圧:2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:I2PAK (TO-262) 、 実装タイプ:スルーホール 、 ピン数:3 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:230 W 、 動作温度 Max:+175 ℃ 、 車載用NチャンネルパワーMOSFET、Infineon. Infineonの車載製品向けAECQ-101認定済み、シングルダイNチャンネルデバイスの充実したポートフォリオは、さまざまな用途における幅広い電源要件に対応します。 ディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、表面実装及びリード付きパッケージ内のNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 注文コード49247705 品番AUIRF1405ZL
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参考基準価格(税別)オープン
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仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:150 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:55 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:4.9 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:4V 、 最低ゲートしきい値電圧:2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:I2PAK (TO-262) 、 実装タイプ:スルーホール 、 ピン数:3 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:230 W 、 動作温度 Max:+175 ℃ 、 車載用NチャンネルパワーMOSFET、Infineon. Infineonの車載製品向けAECQ-101認定済み、シングルダイNチャンネルデバイスの充実したポートフォリオは、さまざまな用途における幅広い電源要件に対応します。 ディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、表面実装及びリード付きパッケージ内のNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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