IRF7759L2TRPBF Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON 49247994

Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(4000個) 仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:160 A●最大ドレイン-ソース間電圧:75 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:2.3 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:L8●実装タイプ:表面実装●ピン数:9+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:125 W●標準ターンオフ遅延時間:80 ns●DirectFETRパワーMOSFET、Infineon. DirectFETR パワーパッケージは、表面実装のパワーMOSFETパッケージング技術を採用しています。 DirectFETR MOSFETは、エネルギー損失量を削減しながら、高度なスイッチング用途向けに設計するフットプリントを縮小するソリューションです。. 該当するフットプリントに収納された業界最低のオン抵抗 非常に低いパッケージ抵抗で導電損失を最小化 非常に効率的な両面冷却により、電力密度、コスト及び信頼性が大幅に改善されます。 わずか0.7 mmの低プロファイル 注文コード49247994 品番IRF7759L2TRPBF
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参考基準価格(税別)オープン
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仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:160 A●最大ドレイン-ソース間電圧:75 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:2.3 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:L8●実装タイプ:表面実装●ピン数:9+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:125 W●標準ターンオフ遅延時間:80 ns●DirectFETRパワーMOSFET、Infineon. DirectFETR パワーパッケージは、表面実装のパワーMOSFETパッケージング技術を採用しています。 DirectFETR MOSFETは、エネルギー損失量を削減しながら、高度なスイッチング用途向けに設計するフットプリントを縮小するソリューションです。. 該当するフットプリントに収納された業界最低のオン抵抗 非常に低いパッケージ抵抗で導電損失を最小化 非常に効率的な両面冷却により、電力密度、コスト及び信頼性が大幅に改善されます。 わずか0.7 mmの低プロファイル

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
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お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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