内容量1セット(50個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:162 A●最大ドレイン-ソース間電圧:40 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:4 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:I2PAK (TO-262)●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:3.8 W●標準ゲートチャージ @ Vgs:160 nC @ 10 V●NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49248019
品番IRF1404LPBF