Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(2個) 仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:198 A●最大ドレイン-ソース間電圧:40 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:1.4 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3.9V●最低ゲートしきい値電圧:2.2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:MX●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOS(TM)ET●最大パワー消費:96 W●標準ターンオン遅延時間:20nS●StrongIRFET(TM)パワーMOS(TM)ET、Infineon. Infineon製の StrongIRFET ファミリは、R DS (on)を低くし、電流通過能力を高くするように最適化されています。 このポートフォリオは、性能と堅牢性が必要となるモータドライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理を含む低周波用途に最適な優れたゲート特性、アバランシェ特性、動的dv/dt耐久性を発揮します。 注文コード49249078 品番IRF7946TRPBF
6月22日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は899円となります。
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥912
販売価格(税別)
829
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仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:198 A●最大ドレイン-ソース間電圧:40 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:1.4 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3.9V●最低ゲートしきい値電圧:2.2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:MX●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOS(TM)ET●最大パワー消費:96 W●標準ターンオン遅延時間:20nS●StrongIRFET(TM)パワーMOS(TM)ET、Infineon. Infineon製の StrongIRFET ファミリは、R DS (on)を低くし、電流通過能力を高くするように最適化されています。 このポートフォリオは、性能と堅牢性が必要となるモータドライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理を含む低周波用途に最適な優れたゲート特性、アバランシェ特性、動的dv/dt耐久性を発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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