内容量1リール(10個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:2.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧:150 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:185 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:5V●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.8 W●1チップ当たりのエレメント数:1●NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49249175
品番IRFL4315TRPBF